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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种三维动态存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119383964B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411586151.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种三维动态存储器及其制备方法是由童浩;汪宾浩;缪向水设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三维动态存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种三维动态存储器及其制备方法，涉及存储器领域，该存储器包括衬底、第一金属电极层至第三金属电极层、电介质层、功能层和电容介质层；其中，第一金属电极层和电介质层交错层叠设置；第三金属电极层为T型结构；第三金属电极层的竖直段自最顶层的电介质层向衬底所在方向贯穿并延伸至衬底的内部；第三金属电极层的竖直段的外表面包覆有第二金属电极层；第二金属电极层的外表面包覆有功能层；每一电容介质层为以对应的第三金属电极层为中心的中空柱状结构；电容介质层自最顶层的电介质层向衬底所在方向贯穿并延伸至衬底的内部。本发明引入了第二金属电极层，提高了三维动态存储器的数据操作窗口，降低了三维存储器的误码率。

本发明授权一种三维动态存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维动态存储器，其特征在于，所述三维动态存储器包括：衬底、若干个第一金属电极层、至少一个第二金属电极层、至少一个第三金属电极层、若干个电介质层、至少一个功能层和至少一个电容介质层； 若干个所述第一金属电极层和若干个所述电介质层采用相互交错层叠的布设方式；交错层叠的结构中，最顶层为所述电介质层，最底层为所述第一金属电极层；最底层的第一金属电极层设于所述衬底的上表面； 每一所述第三金属电极层均为T型结构；每一所述第三金属电极层的竖直段自最顶层的电介质层的上表面向衬底所在方向贯穿并延伸至所述衬底的内部；每一所述第三金属电极层的水平段布设在最顶层的电介质层的上表面； 每一所述第三金属电极层的竖直段的外表面均包覆有所述第二金属电极层；每一所述第二金属电极层的外表面均包覆有所述功能层； 所述电容介质层和所述第三金属电极层的数量相同，且一一对应； 每一所述电容介质层为以对应的所述第三金属电极层为中心的中空柱状结构；每一所述电容介质层自最顶层的电介质层的上表面向衬底所在方向贯穿并延伸至所述衬底的内部。

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