美光科技公司S·萨卡尔获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利间隙填充材料的等离子体掺杂获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421416B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411500262.4，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权间隙填充材料的等离子体掺杂是由S·萨卡尔;J·S·布朗;秦舒;Y·J·胡;F·M·戈德设计研发完成，并于2020-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本间隙填充材料的等离子体掺杂在说明书摘要公布了：本申请案涉及间隙填充材料的等离子体掺杂。在用于使用旋涂电介质材料形成电子装置的多种过程中，可通过使用等离子体掺杂使这些材料固化来增强所述旋涂电介质材料的性质。举例来说，可增加所述经固化材料的硬度及杨氏模量。可增强其它性质。使所述旋涂电介质材料固化的所述等离子体掺杂使用一种作为与所离子化的物种相关联的等离子体离子植入物与高能量辐射的组合的机制。另外，可通过选择对应于关于长度的选择变化的所使用的特定掺杂剂的植入物能量及掺杂剂剂量沿着所述旋涂电介质材料的长度修改所述旋涂电介质材料的物理性质。
本发明授权间隙填充材料的等离子体掺杂在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其包含： 三维存储器阵列；及 电介质膜，其在所述存储器阵列中提供电隔离，所述电介质膜包含旋涂电介质SOD作为所述存储器阵列的存储器单元的堆叠之间的电介质，其中所述SOD包含碳及等离子体植入离子，所述SOD具有沿着所述SOD的长度改变的碳含量。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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