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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;武汉京东方光电科技有限公司申请的专利显示基板及其制造方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421491B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310755707.2，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权显示基板及其制造方法、显示装置是由孔曾杰;高玉杰;江鹏;刘信;郭晨光;黄珺凌;王明;乔亚峥;沈鹭;刘赫;丁俊;李宝曼;戴伟设计研发完成，并于2023-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示基板及其制造方法、显示装置在说明书摘要公布了：提供一种显示基板及其制造方法、显示装置。显示基板包括：衬底基板；第一导电层，设置在衬底基板的一侧，第一导电层包括第一电极；第二导电层，设置在第一导电层远离衬底基板的一侧，第二导电层包括栅电极；半导体层，设置在第二导电层远离衬底基板的一侧，半导体层在衬底基板上的正投影位于第二导电层在衬底基板上的正投影内；第三导电层，设置在半导体层远离衬底基板的一侧，第三导电层包括在衬底基板上的正投影位于第一电极在衬底基板上的正投影内的转接部；钝化层；第一电极过孔，贯穿钝化层，第一电极过孔的开口面积从远离衬底基板的方向朝向靠近衬底基板的方向逐渐减小，暴露的转接部构成第一电极过孔的过孔侧壁的一部分。

本发明授权显示基板及其制造方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示基板，其中，包括： 衬底基板，衬底基板上设置有多个子像素，多个子像素沿第一方向和第二方向呈阵列排布，所述第一方向和所述第二方向相交，每个子像素包括至少一个控制晶体管； 第一导电层，设置在所述衬底基板的一侧，所述第一导电层包括在第二方向间隔排布构成所述子像素的第一电极； 第二导电层，设置在所述第一导电层远离所述衬底基板的一侧，所述第二导电层包括在第二方向间隔排布，并沿所述第一方向延伸设置，构成所述控制晶体管的栅电极； 半导体层，设置在所述第二导电层远离所述衬底基板的一侧，所述半导体层在衬底基板上的正投影位于所述第二导电层在衬底基板上的正投影内； 第三导电层，设置在所述半导体层远离所述衬底基板的一侧，所述第三导电层包括在所述衬底基板上的正投影位于所述第一电极在衬底基板上的正投影内的转接部； 钝化层，设置在所述第三导电层远离所述衬底基板的一侧； 第一电极过孔，贯穿所述钝化层，并暴露所述第一电极和所述转接部的一部分，所述第一电极过孔的开口面积从远离所述衬底基板的方向朝向靠近所述衬底基板的方向逐渐减小，暴露的所述转接部构成所述第一电极过孔的过孔侧壁的一部分；以及 第四导电层，设置在所述第一电极过孔中，将所述第一电极与所述转接部电连接； 所述第一电极包括公共电极，每个公共电极的远离衬底基板的一侧设置有多个所述第一电极过孔； 所述第三导电层还包括连接部，所述连接部将在第二方向上相邻的所述公共电极的转接部电连接， 其中，所述连接部配置为通过位于所述第一电极过孔内的第四导电层、所述转接部将在第二方向上相邻的公共电极电连接。

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