浙江大学衢州研究院申福星获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学衢州研究院申请的专利一种基于高氯酸根的Fe(II)自旋交叉材料及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119431223B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411337560.6，技术领域涉及：C07D213/38；该发明授权一种基于高氯酸根的Fe(II)自旋交叉材料及其制备方法与应用是由申福星;鲍宗必;曹义风;曹一佳;安友成;李晶设计研发完成，并于2024-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于高氯酸根的Fe(II)自旋交叉材料及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于高氯酸根的FeII自旋交叉材料及其制备方法与应用。本发明采用室温挥发的方法制备出较高产率的[Febamp2]·ClO42，相较于高温高压溶剂热合成、不良溶剂溶剂扩散等方法，具有反应条件简单、易于实现等优势。有机配体2,6‑双氨基甲基吡啶具有丰富的苯基团和氨基基团，易于构筑π‑π堆积和氢键作用以精细调控自旋转变性质；同时，ClO4‑调控增强了π‑π分子间堆积作用，两者协同作用下使材料出现自旋转变行为。本发明的FeII自旋交叉磁性材料具有原料廉价、结构和性能稳定的特点，所合成的自旋交叉材料可应用于分子开关、分子传感器和超高密度信息存储领域。
本发明授权一种基于高氯酸根的Fe(II)自旋交叉材料及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种基于高氯酸根的FeII自旋交叉磁性材料，其特征在于：所述FeII自旋交叉磁性材料的化学结构式为[Febamp2]·ClO42； 式中，bamp表示2,6-双氨基甲基吡啶； 所述FeII自旋交叉磁性材料的晶体结构为单斜晶系，空间群为P21c，晶胞参数分别为：a=8.33689Å,b=30.3013Å,c=17.3882Å,α=90o,β=98.6882o,γ=90o，Fe-N键长范围为2.1304~2.2534Å。
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