中国科学院半导体研究所;国网重庆市电力公司营销服务中心闫果果获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所;国网重庆市电力公司营销服务中心申请的专利一种降低碳化硅晶体材料碳空位的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119433711B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411682989.9，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权一种降低碳化硅晶体材料碳空位的方法是由闫果果;要文波;刘型志;马明辉;赵万顺;王雷;刘兴昉;曾一平设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种降低碳化硅晶体材料碳空位的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种降低碳化硅晶体材料碳空位的方法，包括：将清洗后的初始碳化硅样品放入氧化炉；在预设的第一氧化时间内，将氧化炉内的温度从初始温度升至中间温度；在预设的第二氧化时间内，在氧化炉内持续通入载气；将经过第二氧化时间后的碳化硅样品浸泡在预设的缓冲液中以去掉碳化硅样品表面的氧化层；在预设的退火时间内，根据预设的目标温度对去掉氧化层的碳化硅样品进行气氛高温退火处理，以获得目标碳化硅样品；对目标碳化硅样品进行碳空位测试。该方法利用利用高温氧化与高温退火，可将碳空位密度降低，获得低碳空位、高少子寿命的SiC外延材料，适用于制作高压双极性半导体功率器件。
本发明授权一种降低碳化硅晶体材料碳空位的方法在权利要求书中公布了：1.一种降低碳化硅晶体材料碳空位的方法，其特征在于，所述方法包括： 将清洗后的初始碳化硅样品放入氧化炉； 在预设的第一氧化时间内，将所述氧化炉内的温度从初始温度升至中间温度，所述中间温度的范围为1250℃~1650℃； 在预设的第二氧化时间内，在所述氧化炉内持续通入载气，所述载气包括NO或者N2O气体，所述载气以第二流量值进行通入，所述第二流量值的范围为300sccm~1500sccm； 将经过第二氧化时间后的碳化硅样品浸泡在预设的缓冲液中以去掉所述碳化硅样品表面的氧化层； 在预设的退火时间内，根据预设的目标温度与预设的目标压强，对去掉氧化层的所述碳化硅样品进行气氛高温退火处理，以获得目标碳化硅样品，所述气氛气体包括氩气与氢气，所述目标温度的范围为1200℃~1650℃，所述目标压强的范围为30mbar~1000mbar； 对所述目标碳化硅样品进行碳空位测试。
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