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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于离子-铁电协同作用的神经形态电子器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119546177B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411714343.4，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种基于离子-铁电协同作用的神经形态电子器件及其制备方法是由刘富才;陈建钢;文之星设计研发完成，并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于离子-铁电协同作用的神经形态电子器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于离子‑铁电协同作用的神经形态电子器件及其制备方法，属于新型非冯诺依曼计算技术领域。本发明所述器件包括由下至上依次叠置的支撑衬底、介质层、底部电极、导电沟道、顶部电极和封装层；导电沟道为兼具离子迁移机制和铁电极化机制的半导体材料；源极电极和漏极电极分别与导电沟道顶部和底部连接。本发明提供一种基于离子‑铁电协同作用的神经形态电子器件及其制备方法，以基于兼具离子迁移机制和铁电极化机制的半导体材料为导电沟道的忆阻器件，实现由源漏极两端输入以调控离子‑铁电协同作用，通过综合运用器件中完整的忆阻动力学特性，以实现统一框架下的突触权重调节。

本发明授权一种基于离子-铁电协同作用的神经形态电子器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于离子-铁电协同作用的神经形态电子器件，其特征在于，包括由下至上依次叠置的支撑衬底1、介质层2、底部电极3、导电沟道4、顶部电极5和封装层6；导电沟道4选用兼具离子迁移机制和铁电极化机制的半导体材料；底部电极3为漏极电极，顶部电极5为源极电极，源极电极和漏极电极分别覆盖导电沟道4的顶部和底部，并形成含有洁净范德华界面的肖特基接触或欧姆接触； 导电沟道4选用的半导体材料同时具备铁电极化机制和离子迁移机制，选用CuInP2S6； 对于铁电极化机制，晶格内特定离子的位移产生电偶极子，在居里温度以下电偶极子的自发有序产生宏观极化，能够通过外部电脉冲进行切换；导电沟道4的铁电极化机制对于外部电脉冲的施加时间不敏感，具备保持性，因此导电沟道4在铁电极化机制下具备非易失性； 对于离子迁移机制，特定离子通过长距离无序运动表现出离子传导特性，其迁移程度受外部电脉冲的施加时间影响，由于离子传导特性需要电场进行维持，因此导电沟道4在离子迁移机制下具备易失性； 导电沟道4在铁电极化机制下的位点有序是离子迁移机制的调制基础，离子迁移机制能够在铁电极化机制的基础上连续调节器件的电导，实现器件的易失性电导在非易失性电导基础上的调制；当器件从无序的离子迁移机制切换回有序的铁电极化机制后，器件自然复原在铁电极化机制下的非易失性电导； 在源极电极和漏极电极之间施加短激励时间、高振幅的电脉冲，使得器件工作在铁电极化机制下；在源极电极和漏极电极之间施加长激励时间、低振幅的电脉冲，实现在铁电极化机制的基础上基于离子迁移机制的器件电导调节。

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