武汉新芯集成电路股份有限公司杨劲松获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉新芯集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119673776B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411865614.6，技术领域涉及：H10W70/05；该发明授权半导体器件及其制造方法是由杨劲松;罗虎臣;罗文治设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，包括：提供一基底，所述基底包括芯片区和位于所述芯片区周围的悬空区，所述悬空区对待连接至所述基底上超过所述基底上的所述芯片区的部分起支撑作用；在所述基底上形成介质层以及位于所述介质层内的布线层；其中，形成所述介质层前后或者同时，在所述悬空区形成第一凹槽，所述第一凹槽与位于所述芯片区的表面的高度差在设定规格内。本发明使得能够避免芯片区外侧新增的悬空区影响光刻工艺和平坦化工艺的稳定性。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供一基底，所述基底包括芯片区和位于所述芯片区周围的悬空区，所述悬空区对待连接至所述基底上超过所述基底上的所述芯片区的部分起支撑作用； 在所述基底上形成介质层以及位于所述芯片区的所述介质层内的布线层； 其中，形成所述介质层前后或者同时，在所述悬空区形成第一凹槽，后续形成的所述介质层填充所述第一凹槽，所述第一凹槽与位于所述芯片区的表面的高度差在设定规格内，使得在形成所述布线层的过程中，平坦化所述芯片区和所述悬空区之后，位于所述悬空区的表面与位于所述芯片区的表面的高度差在设定规格内。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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