中国科学院上海微系统与信息技术研究所高定成获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种半导体结构及半导体工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119725100B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311251139.9，技术领域涉及：H10P10/00；该发明授权一种半导体结构及半导体工艺方法是由高定成;薛忠营;魏星;常永伟设计研发完成，并于2023-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及半导体工艺方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构及半导体工艺方法，方法包括：将异质硅基的第一衬底与第二衬底进行预键合，得到键合结构；对得到的键合结构进行预退火；在第一衬底和第二衬底之间的键合界面插入尖锐物，打开键合界面以去除键合界面的气泡；抽出尖锐物，使键合界面再次键合；对去除气泡后的键合结构进行退火以加固键合。本发明通过对预键合的键合界面插入尖锐物去除异质硅衬底之间键合界面的气泡，在不影响半导体结构性能的前提下得到无气泡的键合界面，提高异质键合结构的键合率，流程设备简单易操作，对其他工艺没有影响，键合强度不受影响；另外，利用多次重复预退火并递增温度，在排净气泡的同时减少能量消耗。
本发明授权一种半导体结构及半导体工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺方法，其特征在于，所述半导体工艺方法包括： 步骤1：提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底和所述第二衬底为两种材料不同的含硅衬底，所述第一衬底与所述第二衬底中均不包含氧化层；将所述第一衬底与所述第二衬底进行预键合，得到键合结构； 步骤2：对得到的所述键合结构进行预退火； 步骤3：在所述第一衬底和所述第二衬底之间的键合界面插入尖锐物，所述尖锐物打开所述键合界面以去除所述键合界面的气泡；抽出所述尖锐物，使所述键合界面再次键合；抽出所述尖锐物使所述键合界面再次键合后，静置所述键合结构大于8秒，使所述键合结构恢复键合； 步骤4：对去除气泡后的所述键合结构进行退火以加固键合。
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