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龙图腾网获悉捷捷半导体有限公司申请的专利一种双面银快恢复二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119725106B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411841582.6，技术领域涉及：H10W74/01；该发明授权一种双面银快恢复二极管及其制备方法是由朱泽中;黎重林;孙铭顺;李莹设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双面银快恢复二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：一种双面银快恢复二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：在晶圆的正表面覆设第一防微腐蚀金属层，其中，晶圆的正面已完成了主结扩散和终端钝化；在第一防微腐蚀金属层的表面覆设第二防微腐蚀金属层，使第二防微腐蚀金属层完全覆盖晶圆的正表面；在第二防微腐蚀金属层的表面沉形成正面金属；对正面金属腐蚀，直至露出第二防微腐蚀金属层，使正面金属沿的正投影面积小于第一防微腐蚀金属层的正投影面积；对第二防微腐蚀金属层中腐蚀，直至露出终端钝化区域；在终端钝化区域的表面覆设聚酰亚胺层；对晶圆的背面沉积背面金属。该方法不会对终端钝化区域的内部破坏，提高了双面银快恢复二极管的产品良率和可靠性。

本发明授权一种双面银快恢复二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双面银快恢复二极管的制备方法，其特征在于，包括： 在晶圆100的正表面覆设第一防微腐蚀金属层130，其中，所述晶圆100的正面已完成了主结扩散和终端钝化； 在所述第一防微腐蚀金属层130的表面覆设第二防微腐蚀金属层140，使所述第二防微腐蚀金属层140完全覆盖所述晶圆100的正表面； 对所述第二防微腐蚀金属层140的表面采用金属蒸发工艺，依次沉积钛镍银金属层，以形成正面金属150； 对所述正面金属150中与所述晶圆100的终端钝化区域120相对应的区域进行腐蚀，直至露出所述第二防微腐蚀金属层140，以使所述正面金属150沿层叠方向的正投影面积小于所述第一防微腐蚀金属层130的正投影面积； 对所述第二防微腐蚀金属层140中与所述晶圆100的终端钝化区域120相对应的区域进行腐蚀，直至露出所述终端钝化区域120，以使所述第二防微腐蚀金属层140的正投影面积与所述正面金属150的正投影面积相等； 在所述终端钝化区域120的表面覆设聚酰亚胺层160，使所述聚酰亚胺层160盖设所述第一防微腐蚀金属层130凸出于所述第二防微腐蚀金属层140的部分区域； 对所述晶圆100的背面采用金属蒸发工艺，依次沉积钛镍银金属层，以形成背面金属170。

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