中国科学院光电技术研究所范斌获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院光电技术研究所申请的专利一种双层进气式的感应耦合等离子体发生装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119729982B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411954074.9，技术领域涉及：H05H1/24；该发明授权一种双层进气式的感应耦合等离子体发生装置是由范斌;焦培琦;胡钥鹏;辛强;吴湘设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双层进气式的感应耦合等离子体发生装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种双层进气式的感应耦合等离子体发生装置，属于等离子体发生器领域，包括连接板，上底座，中层管底座，外层管底座，中层管，外层管，束流冷却喷嘴等结构。通过优化矩管的结构和配置，使等离子体发生装置结构简单，可以实现等离子体射流稳定激发的效果。此外，本发明还通过改进底座的结构，使得外部的冷却气体利用率更高，能够对外层管进行有效冷却，并且通过束流喷嘴，提升了等离子体射流的分辨率，并且可以更换不同口径的喷嘴，改变等离子体射流的分辨率。结果表明，该装置在多种应用场景下均表现出优异的性能，具有广泛的应用前景。
本发明授权一种双层进气式的感应耦合等离子体发生装置在权利要求书中公布了：1.一种双层进气式的感应耦合等离子体发生装置，其特征在于，包括：中层管固定底座、外层管固定底座、下连接座、束流冷却喷嘴、中层管进气嘴、外层管进气嘴、中层管、外层管、喷嘴固定螺栓、螺栓绝缘保护套；所述外层管进气嘴通过螺纹与所述的外层管固定底座连接，进气结构为切向进气结构，并且在外层管的内壁和中层管固定底座外壁的约束下，气体实现对外层管内壁的冷却作用；所述的中层管进气喷嘴通过螺纹与所述的中层管固定底座进行连接，中层管与中层管固定底座进行连接，气体直接进入中层管；所述的中层管固定底座和外层管固定底座均开有通孔，下连接座开有螺纹孔，上述三个部件通过螺栓连接；所述的束流冷却喷嘴与所述的外层管底部通过喷嘴固定螺栓连接，螺栓绝缘外面套有用于起到绝缘作用的螺栓绝缘保护套； 所述的束流冷却喷嘴上端直径大于外层管外径，上端部分配置有石墨喷嘴密封圈，用于起到密封作用。
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