湖北星辰技术有限公司杨道虹获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北星辰技术有限公司申请的专利半导体封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119764273B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411756224.5，技术领域涉及：H10W40/40；该发明授权半导体封装结构及其制造方法是由杨道虹;金保洲;赵平;袁娜;梅敏设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种半导体封装结构及其制造方法。其中，半导体封装结构包括：基板；多个半导体芯片，位于基板上堆叠设置；微电极，位于至少一个半导体芯片的顶部，用于接收微电场；微通道，位于至少一个半导体芯片的顶部，设置在微电极上或者微电极下并且与微电极隔离，构成循环回路；微通道内包括微流体；其中，在微电场的作用下，微电极用于驱动微流体在循环回路中循环流动，以实现对半导体芯片的热转移及热传递。
本发明授权半导体封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括： 基板； 多个半导体芯片，位于所述基板上堆叠设置； 微电极，位于至少一个所述半导体芯片的顶部，用于接收微电场； 微通道，位于至少一个所述半导体芯片的顶部，设置在所述微电极上或者所述微电极下并且与所述微电极隔离，构成循环回路；所述循环回路包括首尾相连的位于所述半导体芯片的中部的第一路径和位于所述半导体芯片的边缘的第二路径；所述微通道内包括微流体；其中，在所述微电场的作用下，所述微电极用于驱动所述微流体在所述循环回路中的所述第一路径和所述第二路径之间循环流动，以实现对所述半导体芯片的热转移及热传递；其中，所述微电极至少部分延伸至所述半导体芯片的衬底中，和或，所述微通道至少部分延伸至所述半导体芯片的衬底中。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北星辰技术有限公司，其通讯地址为：430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区流芳园横路12号汇成工业科创园2号楼11F(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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