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龙图腾网获悉浙江禾芯集成电路有限公司申请的专利一种LSI芯片封装结构的成形工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119864287B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510013854.1，技术领域涉及：H10W72/00；该发明授权一种LSI芯片封装结构的成形工艺是由张黎;郭洪岩;张宇锋;龚嘉明设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LSI芯片封装结构的成形工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种LSI芯片封装结构的成形工艺，属于半导体封装技术领域。其工艺如下：制作LSI芯片单体；制作带有低密度铜柱的第一假芯片单体；制作带有高密度铜柱的第二假芯片单体；LSI芯片单体、第一假芯片单体、第二假芯片单体依次正装到载体400并形成第一塑封体301；通过减薄工艺，平行削减第一塑封体301，其正面和背面分别形成第一再布线金属层510和第二再布线金属层530。本发明提供了多种金属柱结构密度集于一体的设计结构，满足产品多方位的设计需求。

本发明授权一种LSI芯片封装结构的成形工艺在权利要求书中公布了：1.一种LSI芯片封装结构的成形工艺，其实施步骤如下： 步骤一，制作LSI芯片单体，所述LSI芯片单体包括LSI芯片本体101和其正面设置的LSI芯片下金属柱121； 步骤二，制作带有低密度铜柱的第一假芯片单体，所述第一假芯片单体包括第一假芯片本体和若干个第一金属柱，第一金属柱垂直第一假芯片本体，构成低密度金属柱群210，所述第一假芯片本体的厚度≤LSI芯片本体101的当前厚度-LSI芯片本体101的目标厚度； 步骤三，制作带有高密度铜柱的第二假芯片单体，所述第二假芯片单体包括第二假芯片本体和若干个第二金属柱，第二金属柱垂直第二假芯片本体，构成高密度金属柱群230，所述第二假芯片本体的厚度≤LSI芯片本体101的当前厚度-LSI芯片本体101的目标厚度； 步骤四，准备载体400，所述载体400上贴敷热剥离膜410； 步骤五，LSI芯片单体、第一假芯片单体、第二假芯片单体依次正装到载体400，所述LSI芯片单体为偶数个，其中第一假芯片单体设置在LSI芯片单体的外侧区域，第二假芯片单体设置在相邻两个LSI芯片单体的内侧区域； 步骤六，用包封料包封LSI芯片单体、第一假芯片单体、第二假芯片单体，形成第一塑封体301； 步骤七，通过加热解键合工艺使第一塑封体301与载体400分离，露出分离面； 步骤八，通过减薄工艺，平行削减第一塑封体301，分别形成第一塑封体正面310和第一塑封体背面330，所述第一塑封体301去除第一假芯片单体的第一假芯片本体和第二假芯片单体的第二假芯片本体，分别留下低密度金属柱群210、高密度金属柱群230，同时去除部分LSI芯片本体101的背面厚度，形成LSI芯片本体101的减薄体，达成所述LSI芯片本体101的目标厚度； 步骤九，在第一塑封体正面310采用再布线工艺，形成第一再布线金属层510，所述第一再布线金属层510设置在塑封体301的正面，其金属层分别与LSI芯片下金属柱121、低密度金属柱群210的第一金属柱、高密度金属柱群230的第二金属柱电信连接；所述第一再布线金属层510的最外层为钝化层，并设有第一信号端口511； 步骤十，在第一塑封体背面330采用再布线工艺，形成第二再布线金属层530，所述第二再布线金属层530设置在塑封体301的背面，其金属层分别与LSI芯片本体背面130、低密度金属柱群210的第一金属柱、高密度金属柱群230的第二金属柱电信连接；第二再布线金属层530的最外层为钝化层，并设有第二信号端口531。

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