安徽大学章恺获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种基于法诺共振的MDM纳米腔耦合二维过渡金属硫化物的复合谐振腔结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119882108B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411990908.1，技术领域涉及：G02B5/00；该发明授权一种基于法诺共振的MDM纳米腔耦合二维过渡金属硫化物的复合谐振腔结构及其制备方法是由章恺;姜宇轩;程晃晃;李裕军;高锦涛设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于法诺共振的MDM纳米腔耦合二维过渡金属硫化物的复合谐振腔结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于光电调控技术领域，具体涉及一种基于法诺共振的MDM纳米腔耦合二维过渡金属硫化物的复合谐振腔结构及其制备方法。本发明提供一种基于法诺共振的MDM纳米腔耦合二维过渡金属硫化物的复合谐振腔结构，所述MDM纳米腔中，电介质层的材料包括六方氮化硼、氧化铟锡中的一种或多种，所述二维过渡金属硫化物包括二硫化钨。所述MDM纳米腔依次包括：金属层a、六方氮化硼层、氧化铟锡层、金属层b；金属层的材料包括银、钛、铬、金中的一种或多种。本发明采用MDM纳米腔耦合TMDs原子层的光学膜系设计思路和高效的制备方法，产生了多途径可调谐的光学反射谱法诺共振。本发明Fano共振的品质因子与强度大幅领先于其他类似结构。
本发明授权一种基于法诺共振的MDM纳米腔耦合二维过渡金属硫化物的复合谐振腔结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于法诺共振的MDM纳米腔耦合二维过渡金属硫化物的复合谐振腔结构，其特征在于，所述复合谐振腔结构依次包括金属层a、六方氮化硼层、二硫化钨层、氧化铟锡层、金属层b； 所述六方氮化硼层的材料包括六方氮化硼；所述氧化铟锡层的材料包括氧化铟锡；所述二硫化钨层的材料包括二硫化钨；所述金属层a的材料包括银、钛、铬、金中的一种或多种；所述金属层b的材料包括银、钛、铬、金中的一种或多种。
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