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龙图腾网获悉珠海格力电器股份有限公司申请的专利一种SiC模块的保护装置、方法和电力电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119994800B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411966243.0，技术领域涉及：H02H7/12；该发明授权一种SiC模块的保护装置、方法和电力电子设备是由余浩燃;张统世;李思琪;张艳婷;王云骏设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiC模块的保护装置、方法和电力电子设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SiC模块的保护装置、方法和电力电子设备，该装置包括：驱动芯片，基于PWM信号与第一逻辑处理信号得到控制信号；第一检测单元，基于第三逻辑处理信号检测MOS管的漏源极电压得到第一检测结果；第二检测单元，检测内部封装寄生电感的电压得到第二检测结果；逻辑处理单元，结合第一检测结果、第二检测结果和控制信号进行处理得到第一逻辑处理信号、第二逻辑处理信号和第三逻辑处理信号，以根据第二逻辑处理信号控制SiC模块关断；驱动芯片，根据第一逻辑处理信号停止发送PWM信号。该方案，通过结合SiC模块的MOS管的漏源极电压和内部封装寄生电感的电压判断SiC模块短路时及时关断SiC模块，提高安全性。

本发明授权一种SiC模块的保护装置、方法和电力电子设备在权利要求书中公布了：1.一种SiC模块的保护装置，其特征在于，所述SiC模块，具有MOS管和内部封装寄生电感；所述SiC模块的保护装置，设置在所述SiC模块的驱动芯片与所述SiC模块之间；所述驱动芯片受所述驱动芯片的主控单元的控制；所述SiC模块的保护装置，包括：第一检测单元、第二检测单元、逻辑处理单元、以及开关放大单元；所述第二检测单元，包括：第二采样电阻模块、第二限流电阻模块、输出电阻模块、以及光耦模块；其中，所述MOS管的源极辅助端子，连接至所述第二采样电阻模块的第一连接端；所述第二采样电阻模块的第二连接端，能够连接至所述光耦模块的二极管侧的阳极；所述MOS管的源极主端子，连接至所述光耦模块的二极管侧的阴极；预设的直流电源，经所述第二限流电阻模块后，连接至所述光耦模块的晶体管侧的集电极；所述光耦模块的晶体管侧的集电极，经所述输出电阻模块后，输出所述第二检测结果；所述光耦模块的晶体管侧的发射极接地；所述逻辑处理单元，能够输出第一逻辑处理信号、第二逻辑处理信号和第三逻辑处理信号；其中， 所述主控单元，用于向所述驱动芯片发送PWM信号； 所述驱动芯片，用于基于所述PWM信号与所述逻辑处理单元输出的第一逻辑处理信号，得到控制信号； 所述第一检测单元，用于在所述逻辑处理单元输出的第三逻辑处理信号的作用下，检测所述MOS管的漏源极电压；并根据所述MOS管的漏源极电压判断所述SiC模块是否短路，得到第一检测结果； 所述第二检测单元，用于检测所述内部封装寄生电感的电压；并根据所述内部封装寄生电感的电压判断所述SiC模块是否短路，得到第二检测结果； 所述逻辑处理单元，用于结合所述第一检测单元输出的第一检测结果、所述第二检测单元输出的第二检测结果、以及所述驱动芯片输出的控制信号进行逻辑处理，输出第一逻辑处理信号、第二逻辑处理信号、以及第三逻辑处理信号； 所述开关放大单元，用于在所述逻辑处理单元输出的第二逻辑处理信号表示所述SiC模块短路的情况下发出关断信号，以利用所述关断信号控制所述SiC模块关断； 所述驱动芯片，还用于在所述逻辑处理单元输出的第一逻辑处理信号表示所述SiC模块短路的情况下，将所述逻辑处理单元输出的第一逻辑处理信号反馈至所述主控单元，以使所述主控单元停止发送所述PWM信号。

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