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龙图腾网获悉中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))申请的专利一种堆叠芯片垂直互连耦合电磁场提取方法和计算机设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120064831B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510214889.1，技术领域涉及：G01R31/00；该发明授权一种堆叠芯片垂直互连耦合电磁场提取方法和计算机设备是由曲晨冰;孙宸;江野;王力纬;李潮;侯波设计研发完成，并于2025-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种堆叠芯片垂直互连耦合电磁场提取方法和计算机设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种堆叠芯片垂直互连耦合电磁场提取方法和计算机设备，所述方法包括：确定堆叠芯片中TSV垂直互连耦合产生的电磁场的目标位置，运行仿真获得目标位置的电磁场强，将TSV耦合结构参数与提取的电磁场强存储为数据集；从数据集中加载数据并进行特征提取，利用所提取的特征构建特征矩阵，以电磁场强为目标变量，将数据集输入到每个回归模型中进行训练，得到电磁场强的最佳模型；将模型预测结果与仿真结果进行对比，计算误差是否达到要求，若不能达到要求，则重复进行特征提取和模型训练；向预测模型输入待测堆叠芯片的TSV耦合结构参数，得到目标位置的电磁场强。本发明能够快速预测由于TSV垂直互连电磁耦合引起的芯粒内部电路电磁场干扰。

本发明授权一种堆叠芯片垂直互连耦合电磁场提取方法和计算机设备在权利要求书中公布了：1.一种堆叠芯片垂直互连耦合电磁场提取方法，其特征在于，包括： 步骤S1，通过有限元仿真建立堆叠芯片的三维模型，确定堆叠芯片中TSV垂直互连耦合产生的电磁场的目标位置，运行仿真获得目标位置的电场强度和磁场强度，将TSV耦合结构参数与提取的电场强度和磁场强度存储为数据集； 步骤S2，从数据集中加载数据并进行特征提取，利用所提取的特征构建特征矩阵，选择多种不同类型的回归模型，使用网格搜索方法对所选择的回归模型的超参数进行调优，确定每个回归模型的最优超参数，以电场强度和磁场强度为目标变量，将数据集输入到每个回归模型中进行训练，根据R2分数和MAPE综合评分得到电场强度的最佳模型和磁场强度的最佳模型； 步骤S3，分别使用电场强度的最佳模型和磁场强度的最佳模型预测电场强度和磁场强度，将预测结果与仿真获得的目标位置的电场强度和磁场强度进行对比，计算误差是否达到要求，若不能达到要求，则返回步骤S2，直到达到误差要求； 步骤S4，输入待测堆叠芯片的TSV耦合结构参数，利用电场强度的最佳模型和磁场强度的最佳模型输出目标位置的电场强度和磁场强度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))，其通讯地址为：511370 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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