中国科学院半导体研究所何力获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利多孔硅的氧化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120099605B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510591841.2，技术领域涉及：C25D11/02；该发明授权多孔硅的氧化方法是由何力;李赛磊;朱元昊;任慧雪;沈桂英;伍绍腾;骆军委设计研发完成，并于2025-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本多孔硅的氧化方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种多孔硅的氧化方法，涉及材料处理技术领域。该方法包括：获取多孔硅；通过动态电流调控工艺，对多孔硅进行电化学氧化处理，得到氧化后的多孔硅。本发明通过动态电流调控工艺，对多孔硅进行电化学氧化处理，可避免氧化截断现象使多孔硅获得均匀彻底的钝化效果，解决了传统恒流恒压电化学氧化中多孔硅氧化不均匀以及局部钝化不完全的问题。
本发明授权多孔硅的氧化方法在权利要求书中公布了：1.一种避免氧化截断现象使厚度大于或等于5μm的多孔硅彻底钝化的氧化方法，其特征在于，包括： 获取多孔硅； 通过动态电流调控工艺，对所述多孔硅进行电化学氧化处理，得到氧化后的多孔硅； 其中，所述通过动态电流调控工艺，对所述多孔硅进行电化学氧化处理包括： 以连续式增加电流的方式，对所述多孔硅进行目标时长的电化学氧化处理，使所述多孔硅充分且均匀氧化，以防止所述多孔硅在电化学氧化过程中出现氧化截断现象。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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