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龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利一种采用端面耦合的条形SOI波导的制备和耦合优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120122283B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510162899.5，技术领域涉及：G02B6/136；该发明授权一种采用端面耦合的条形SOI波导的制备和耦合优化方法是由徐可米;胡广潇;杨继亮;周旺;彭礼超设计研发完成，并于2025-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种采用端面耦合的条形SOI波导的制备和耦合优化方法在说明书摘要公布了：一种采用端面耦合的条形SOI波导的制备和耦合优化方法，属于微纳精细结构加工及光学精密测量领域。本发明通过两步光刻和两步刻蚀，一方面能够在波导端面刻蚀出与波导端面高度重合的基底断面，另一方面能够保证Si基底刻蚀沟道刻蚀展宽不会导致SiO2上方波导下方被镂空。通过使用直流磁控溅射Cr掩模，能够避免在深硅刻蚀过程中波导材料被刻蚀而损坏。通过离子束刻蚀过程，使波导端面和基底刻蚀侧壁完全重合，从而避免在光纤耦合过程中部分光斑被Si基底散射，进而提高波导的耦合效率。通过结合FDTD仿真结果，使用ICP‑PECVD在波导端面沉积合适厚度的低内应力SiO2+Si3N4增透膜，避免光斑在波导端面被反射，使光斑耦合效率达到最大。

本发明授权一种采用端面耦合的条形SOI波导的制备和耦合优化方法在权利要求书中公布了：1.一种采用端面耦合的条形SOI波导的制备和耦合优化方法，其特征在于：包括如下步骤， 步骤一：在SOI波导样品旋涂正性光刻胶，紫外曝光样品并显影在波导端面将掩膜版条形图案转移到波导附近，其中显影后使光刻胶边缘距离波导端面数百纳米；利用直流磁控溅射在样品上沉积铬薄膜，并利用去胶液加热浸泡数小时以去除沟道光刻胶，其中铬薄膜的厚度大于波导的高度，但小于光刻胶厚度，以实现金属薄膜的剥离；利用ICP-RIE连续刻蚀工艺，通入SF6、Ar、O2刻蚀气体，将距离波导端面数百nm的刻蚀沟道内SiO2薄膜刻蚀至百纳米级别厚度；利用铬蚀刻液，浸泡足够时间去除样品表面残留Cr； 步骤二：在样品上旋涂正性光刻胶，并利用紫外曝光在距离波导端面附近转移刻蚀沟道图案，控制波导端面距离刻蚀沟道光刻胶掩膜边缘为5-10μm，该步图形转移考虑到了Bosch刻蚀工艺中沟道的刻蚀展宽；再次在紫外曝光后的样品上沉积Cr薄膜，掩膜厚度和步骤三中相同；使用ICP-RIE的Bosch刻蚀工艺刻蚀沟道内残留的SiO2薄膜及底层的Si基底；使用机械解离的方法使刻蚀沟道两侧基底断开； 步骤三：提前将样品包埋入熔融的环氧树脂中，以起到固定样品作用；首先使离子束垂直于样品侧壁，使用离子束刻蚀对基底断面进行抛光，其次使离子束和基底断面呈较小的夹角抛光波导端面及Si基底，将波导端面外侧突出基底减薄至数十纳米级别，最终使波导端面和基底断面对齐； 步骤四：使用ICP-PECVD对样品断面沉积预设厚度的SiO2+Si3N4；其中各薄膜的厚度要根据等效介质模型和有限时域差分法FDTDFinite-DifferenceTime-Domain仿真结果计算确定；其中在每一步ICP-PECVD沉积薄膜后，使用椭偏仪对沉积薄膜实际厚度和光学常数进行测量，用以更逼近FDTD仿真结果； 步骤五：使用铬蚀刻液去除样品表面残留铬薄膜；使用纳米位移台固定的lensed光纤或者锥形光纤对波导进行端面耦合；其中需要调节纳米位移台X、Y方向上的移动及位移台的空间俯仰来调节达到最佳的耦合效率。

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