北京大学姚光杰获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利电子源及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120236953B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311869441.0，技术领域涉及：H01J1/304；该发明授权电子源及其制备方法和应用是由姚光杰;刘华展;洪浩;尤一龙;刘开辉设计研发完成，并于2023-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子源及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本申请提供一种电子源及其制备方法和应用，电子源包括光纤、导电连接层和电子发射层；电子发射层包括与导电连接层电连接的电子激发层，电子激发层包括三维纳米材料，电子激发层设置于光纤的激光出射路径上，且光纤出射的激光能够直接照射在电子发射层上，以使电子激发层受到激光激发并发射电子。本申请三维纳米材料作为电子发射层的材料，具有稳定性好和使用寿命高等特点；光纤能够提供波长、偏振、光学模式可调的稳定激发源，能够适用于不同应用场景。
本发明授权电子源及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种电子源，其特征在于，所述电子源包括光纤、导电连接层和电子发射层，所述导电连接层设置于所述光纤的外表面； 所述电子发射层包括与所述导电连接层电连接的电子激发层，所述电子激发层包括具有纳米级尖端的三维纳米材料； 所述电子激发层设置于所述光纤的激光出射路径上，且所述光纤出射的激光能够直接照射在所述电子发射层上，以使所述电子激发层受到所述激光激发并发射电子。
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