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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于兰姆波A0模态的谐振式MEMS电场传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120294432B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510440440.7，技术领域涉及：G01R29/14；该发明授权一种基于兰姆波A0模态的谐振式MEMS电场传感器是由张晓升;解云飞;涂程设计研发完成，并于2025-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于兰姆波A0模态的谐振式MEMS电场传感器在说明书摘要公布了：本发明涉及微机电系统技术领域及电场检测技术领域，具体为一种基于兰姆波A0模态的谐振式MEMS电场传感器，包括衬底、电场敏感谐振器主体、输入金属传输线、输出金属传输线、输入金属电极盘和输出金属电极盘；通过将电场敏感谐振器主体悬空于衬底上，利用一对长条状锚点与衬底相连，来降低衬底对电场敏感谐振器自由振动的机械约束、减少声学能量的泄露。在电场敏感谐振器主体中，通过多重结构设计来提升性能。将叉指电极面积占压电薄膜面积比控制在25％，并设置于中心应变集中位置，搭配具有周期性凹槽结构的压电薄膜与末端加宽的piston电极结构，能有效激励A0模态，增大压电薄膜与待测电场接触面积。本发明提升了电场灵敏度和抗干扰能力。

本发明授权一种基于兰姆波A0模态的谐振式MEMS电场传感器在权利要求书中公布了：1.一种基于兰姆波A0模态的压电谐振式电场传感器，其特征在于，包括衬底、电场敏感谐振器主体、输入金属传输线、输出金属传输线、输入金属电极盘和输出金属电极盘； 所述衬底由上下两层紧密贴合的单晶硅层组成，两层单晶硅层之间夹嵌全覆盖第二隔离氧化层，形成三明治式层叠结构，且该结构中设有一贯穿上下两层单晶硅层及中间第二隔离氧化层的通孔，构成镂空区域； 所述电场敏感谐振器主体位于镂空区域呈悬空状设置，其两端各通过一个锚点与衬底相连；电场敏感谐振器主体由自上而下依次设置的输入叉指电极、输出叉指电极、压电薄膜和重掺杂单晶硅层组成；所述输入叉指电极和输出叉指电极均采用相同的多边形金属片，以对称交替方式排列在压电薄膜之上且整体尺寸小于压电薄膜，并在输入叉指电极和输出叉指电极的末端对电极条的宽度进行加宽，形成piston结构；所述输入叉指电极和输出叉指电极位于压电薄膜的中心应变集中位置，对输入叉指电极和输出叉指电极间的空隙部位下的压电薄膜进行选择性刻蚀，使得压电薄膜与叉指电极接触的一面形成周期性的凹槽结构；所述输入叉指电极和输出叉指电极总面积为压电薄膜总面积的25%； 所述输入金属传输线的一端与输入叉指电极相连，另一端与输入金属电极盘相连；输出金属传输线的一端与输出叉指电极相连，另一端与输出金属电极盘相连；所述输入金属传输线和输出金属传输线均由传输段和过渡段组成；传输段位于衬底层上表面，其一端与过渡段的一端相连，另外一端与金属电极盘相连；过渡段位于压电薄膜上表面，过渡段的另一端与叉指电极相连；所述输入金属电极盘和输出金属电极盘均设于衬底上表面，输入金属电极盘的两侧各设置一个接地金属盘，输出金属电极盘的两侧同样各设置一个接地金属盘； 在所有金属电极盘以及金属传输线的传输段下方，均设有与衬底电气隔离的第一隔离氧化层。

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