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龙图腾网获悉武汉锐晶激光芯片技术有限公司申请的专利一种具有电流调制的半导体激光芯片及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120320159B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510506560.2，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权一种具有电流调制的半导体激光芯片及制备方法是由胡维;安海岩;郭可满设计研发完成，并于2025-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有电流调制的半导体激光芯片及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种具有电流调制的半导体激光芯片及制备方法，涉及半导体激光芯片芯片领域，由下至上依次堆叠的衬底层、n型限制层、n型波导层、量子阱有源区、p型波导层、第一p型限制层、第二p型限制层以及接触层，抗反射腔面与高反射腔面设置于第二p型限制层的相对两侧，功能区设置于抗反射腔面与高反射腔面之间，功能区包括电流注入子区和电流阻挡子区，电流注入子区具有多个注入尖端，电流阻挡子区具有多个阻挡尖端，注入尖端设置于任意两个相邻的阻挡尖端之间；第一p型限制层开设的两条沟槽贯穿第二p型限制层和接触层，两条沟槽位于电流注入子区和电流阻挡子区的相对两侧。本申请有助于提升半导体激光芯片的出光功率和光束质量。

本发明授权一种具有电流调制的半导体激光芯片及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有电流调制的半导体激光芯片，其特征在于，包括由下至上依次堆叠的衬底层1、n型限制层2、n型波导层3、量子阱有源区4、p型波导层5、第一p型限制层6、第二p型限制层7以及接触层8，其中， 所述接触层8包括抗反射腔面81、功能区82以及高反射腔面83，所述抗反射腔面81与所述高反射腔面83设置于所述第二p型限制层7的相对两侧，所述功能区82设置于所述抗反射腔面81与所述高反射腔面83之间，所述功能区82包括电流注入子区821和电流阻挡子区822，所述电流注入子区821具有多个注入尖端，所述电流阻挡子区822具有多个阻挡尖端，所述注入尖端设置于任意两个相邻的阻挡尖端之间，且所述注入尖端与所述阻挡尖端交替排布，所述电流阻挡子区822与所述电流注入子区821的投影位于同一水平面，且所述电流阻挡子区822高于所述电流注入子区821； 所述第一p型限制层6开设的两条沟槽823贯穿所述第二p型限制层7和所述接触层8，且所述两条沟槽823位于所述电流注入子区821和所述电流阻挡子区822的相对两侧，所述沟槽823内填充有绝缘介质； 所述沟槽823贯穿所述第一p型限制层6、所述第二p型限制层7以及所述接触层8，且所述沟槽823沿所述半导体激光芯片的长度方向分别延伸至所述抗反射腔面81和所述高反射腔面83； 依次堆叠的所述第二p型限制层7和所述接触层8形成脊波导结构，所述脊波导结构用于调控电流在腔长方向由高反射腔面83朝抗反射腔面81渐变性注入，从而抑制热透镜效应，所述沟槽823的宽度为0.5μm~1μm，所述沟槽823与所述脊波导结构边缘之间的距离至少为5μm，对所述脊波导结构进行双条纹结构刻蚀形成所述沟槽823，并在所述沟槽823内填充SiO2或SiN介质。

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