江苏富乐华半导体科技股份有限公司曹海洋获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏富乐华半导体科技股份有限公司申请的专利一种优化氮化铝覆铜基板可靠性的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120473391B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510622735.6,技术领域涉及:H10W70/05;该发明授权一种优化氮化铝覆铜基板可靠性的方法是由曹海洋;孙甜;李炎;王子成设计研发完成,并于2025-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种优化氮化铝覆铜基板可靠性的方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种优化氮化铝覆铜基板可靠性的方法,涉及半导体器件技术领域;本发明通过对氮化铝覆铜基板进行两次烘烤和残铜率补偿,提高可靠性;具体为:取烧结后扭曲的氮化铝覆铜基板进行第一次烘烤后,进行图形转移,在图形面尖角处施加蚀刻孔后,根据覆铜基板非图形面和图形面的残铜率差值,在非图形面上施加蚀刻孔槽进行残铜率补偿,转移图形后,进行第二次烘烤。通过对基板两侧残铜率的控制和两次烘烤,使两侧应力平衡,优化了整体的可靠性。
本发明授权一种优化氮化铝覆铜基板可靠性的方法在权利要求书中公布了:1.一种优化氮化铝覆铜基板可靠性的方法,其特征在于,具体为:取烧结后扭曲的氮化铝覆铜基板进行第一次烘烤后,进行图形转移,在图形面尖角处施加蚀刻孔后,根据覆铜基板非图形面和图形面的残铜率差值,在非图形面上施加蚀刻孔或蚀刻槽进行残铜率动态补偿,转移图形后,进行第二次烘烤; 蚀刻孔的孔径计算公式为:孔径d=0.02×L,L为氮化铝覆铜基板边长; 蚀刻孔的孔间距为蚀刻孔孔径的1.5~2.0倍。
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