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龙图腾网获悉吉林大学申请的专利一种硅基片上状态可调双增益光学结构和激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120473822B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510579210.9，技术领域涉及：H01S5/50；该发明授权一种硅基片上状态可调双增益光学结构和激光器是由宋俊峰;胡鹤鸣;李杰;陈柏松;李盈祉;李雪妍;胡小龙设计研发完成，并于2025-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅基片上状态可调双增益光学结构和激光器在说明书摘要公布了：本发明提出一种硅基片上可调双增益光学结构和激光器，涉及激光器技术领域，硅基片上可调双增益光学结构包括：第一反射型半导体光放大器、第二反射型半导体光放大器、第一调相器、第二调相器、第一光耦合器、第三调相器、第四调相器、第二光耦合器、第一端口和第二端口。通过调节两个反射型半导体光放大器之间的相位差来调节反射光和透射光之间的分配比例。利用多个硅基片上状态可调双增益光学结构配置成的半透半反器，以及选择性接入硅基片上状态可调双增益光学结构配置成的光学放大器，来构成激光器，激光器功率实现了显著提高，混合集成的芯片结构，不含有光纤，激光器结构更紧凑且更稳定。

本发明授权一种硅基片上状态可调双增益光学结构和激光器在权利要求书中公布了：1.一种激光器，其特征在于，包括：一个硅基片上状态可调双增益光学结构和第一反射器件； 所述硅基片上状态可调双增益光学结构包括：第一反射型半导体光放大器、第二反射型半导体光放大器、第一调相器、第二调相器、第一光耦合器、第三调相器、第四调相器、第二光耦合器、第一端口和第二端口，所述第一反射型半导体光放大器第一端连接所述第一调相器的第一端，所述第二反射型半导体光放大器的第一端连接所述第二调相器的第一端，所述第一调相器的第二端和所述第二调相器第二端分别连接所述第一光耦合器的第一端和第二端，所述第一光耦合器的第三端和第四端分别连接所述第三调相器的第一端和所述第四调相器的第一端，所述第三调相器的第二端和所述第四调相器的第二端分别连接所述第二光耦合器的第一端和第二端，所述第二光耦合器的第三端和第四端分别连接所述第一端口和所述第二端口，入射光从所述第一端口进入，反射光从所述第一端口输出，所述第二端口用于输出透射光；所述第一反射型半导体光放大器的第二端和所述第二反射型半导体光放大器的第二端均镀高反射膜，通过调节两个反射型半导体光放大器之间的相位差来调节所述反射光和所述透射光之间的分配比例；所述两个反射型半导体光放大器之间的相位差与反射光电场ERe和透射光电场ETr之间的关系式如下： ， ， 其中，EIn为入射光电场，rA为所述第一反射型半导体光放大器的放大倍数，i为虚数单位，为所述第一光耦合器和所述第二光耦合器的耦合系数，t为所述第一光耦合器和所述第二光耦合器的传输系数，为所述第三调相器和所述第四调相器之间的相位差，r为所述两个反射型半导体光放大器之间的增益比值；所述反射光电场与所述入射光电场的比值大于0且小于1，所述硅基片上状态可调双增益光学结构被配置为半透半反器； 所述硅基片上状态可调双增益光学结构的所述第一端口连接所述第一反射器件；其中，所述第一反射器件为全反射器或波长可调谐反射器或半反射器。

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