江西省东都智能装备科技有限公司周忠星获国家专利权
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龙图腾网获悉江西省东都智能装备科技有限公司申请的专利一种Micro LED芯片的巨量转移方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120475836B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510565531.3，技术领域涉及：H10H29/03；该发明授权一种Micro LED芯片的巨量转移方法是由周忠星;赖余盟设计研发完成，并于2025-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Micro LED芯片的巨量转移方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MicroLED芯片的巨量转移方法，该方法包括：将承载有多个MicroLED芯片的源基板与接收基板进行相对设置，源基板的表面设有中转介质层，中转介质层的热膨胀系数大于接收基板材料的热膨胀系数；对源基板施加预设温度，使附着于源基板表面的中转介质层受热膨胀产生剪切力，使MicroLED芯片剥离；通过巨量转移设备中转移部件上的电磁线圈阵列生成动态梯度磁场，在转移过程中实时修正MicroLED芯片的三维空间位置；将完成位姿校准的MicroLED芯片通过热压键合方式固定至接收基板的目标位置，以完成MicroLED芯片的巨量转移。本发明既能有效降低巨量转移时的芯片破损率与电极剥离率，又能有效提升MicroLED芯片的贴装精度，极大地提升了MicroLED芯片的巨量转移质量。
本发明授权一种Micro LED芯片的巨量转移方法在权利要求书中公布了：1.一种MicroLED芯片的巨量转移方法，其特征在于，所述方法包括： 将承载有多个MicroLED芯片的源基板与接收基板进行相对设置，所述源基板的表面设有中转介质层，所述中转介质层的热膨胀系数大于所述接收基板材料的热膨胀系数； 对所述源基板施加预设温度，使附着于所述源基板表面的中转介质层受热膨胀并在与所述接收基板的接合界面产生剪切力，使所述MicroLED芯片从所述源基板剥离； 通过巨量转移设备中转移部件上的电磁线圈阵列生成动态梯度磁场，在转移过程中实时修正所述MicroLED芯片的三维空间位置； 将完成位姿校准的所述MicroLED芯片通过热压键合方式固定至所述接收基板的目标位置，以完成所述MicroLED芯片的巨量转移。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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