中国石油大学(华东)张今朝获国家专利权
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龙图腾网获悉中国石油大学(华东)申请的专利基于双脉冲激光诱导射流实现大面积金属凸点转印的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120511199B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510535895.7,技术领域涉及:H10W72/00;该发明授权基于双脉冲激光诱导射流实现大面积金属凸点转印的方法是由张今朝;闫明宇;张彦振;祝雪荣;胡国放;李子豪;贺炜威;吴玉尧;张艳青设计研发完成,并于2025-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于双脉冲激光诱导射流实现大面积金属凸点转印的方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于双脉冲激光诱导射流实现大面积金属凸点转印的方法,属于芯片封装技术领域,包括以下步骤:步骤1,获取芯片器件相焊盘排布情况;步骤2,准备四块接收基板;步骤3,将焊料加热至呈熔融液态金属;步骤4,架设激光发射装置;步骤5,将一块接收基板平行设置于液态金属上方;步骤6,规划激光扫描路径;步骤7,基于双脉冲激光诱导射流实现单个金属微滴在接收基板上的沉积,按照激光扫描路径,在接收基板上沉积形成金属微滴阵列;步骤8,更换接收基板;步骤9,使金属微滴熔化回流为球状金属凸点;步骤10,进行四次转印。本发明能够较好的兼顾高密度凸点的集成要求、制备效率、整体成本等多项指标。
本发明授权基于双脉冲激光诱导射流实现大面积金属凸点转印的方法在权利要求书中公布了:1.基于双脉冲激光诱导射流实现大面积金属凸点转印的方法,其特征在于,包括以下步骤: 步骤1,获取芯片器件相应侧面上的焊盘排布情况,将芯片器件侧面上的焊盘位置划分为四个分区,第一分区为位于奇数行、奇数列的焊盘位置,第二分区为位于奇数行、偶数列的焊盘位置,第三分区为位于偶数行、奇数列的焊盘位置,第四分区为位于偶数行、偶数列的焊盘位置; 步骤2,准备四块透明的接收基板,分别用于与相应分区上焊盘位置相对应的大面积金属凸点的沉积制备; 步骤3,采用加热炉将焊料加热至呈熔融液态金属,用刮板去除表面的残留氧化物; 步骤4,架设激光发射装置; 步骤5,将一块接收基板平行固定设置于液态金属上方,接收基板与金属液面之间的距离为h,接收基板位于激光发射装置与金属液面之间; 步骤6,根据接收基板所对应的分区焊盘位置,规划激光扫描路径,使双脉冲激光作用在熔融液态金属液面的位置与对应分区内的焊盘位置一一对应且以蛇形走位的顺序在接收基板上进行金属微滴的沉积; 步骤7,基于双脉冲激光诱导射流实现单个金属微滴在接收基板上的沉积,按照步骤6中的激光扫描路径,以蛇形走位的顺序在接收基板上沉积形成金属微滴阵列; 所述步骤7中,基于双脉冲激光诱导射流实现单个金属微滴在接收基板上的沉积的方法为: 激光发射装置先后发射两束激光脉冲,第二束激光脉冲的能量不小于第一束激光脉冲的能量,并通过激光发射装置的振镜反射和场镜聚集,使两束激光脉冲作用于液态金属表面的同一位置; 第一束激光脉冲聚焦照射在表面平整的液态焊料上,激光照射位置迅速产生一个冠状凹坑,在凹坑闭合前,第二束激光脉冲照射在凹坑内部,诱导金属射流产生,金属射流沿着垂直于液面的方向向上运动,精准沉积在接收基板上形成金属微滴; 步骤8,更换接收基板,之后进入步骤6,直至四块接收基板上均完成与对应分区上焊盘位置相对应的金属微滴阵列; 步骤9,在所有接收基板的金属微滴阵列上涂敷低残留免洗助焊剂,将带有金属微滴阵列的接收基板放置在恒温加热平台上,使金属微滴熔化回流为球状金属凸点,之后将接收基板进行冷却; 步骤10,将四块带有金属凸点的接收基板依次放置在芯片器件上进行四次转印,实现芯片器件上所需焊点的制备;每次转印时,金属凸点与相应的焊盘位置一一对应,通过加热实现将金属凸点转印至芯片器件的相应焊盘位置处。
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