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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种二维材料线接触异质结及其阵列式制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120568824B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510643308.6，技术领域涉及：H10D62/82；该发明授权一种二维材料线接触异质结及其阵列式制备方法是由李鹏;闫佳文;卢文龙;尤政设计研发完成，并于2025-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种二维材料线接触异质结及其阵列式制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种二维材料线接触异质结及其阵列式制备方法，属于纳米材料领域，包括如下步骤：在基底上转移第一材料层，刻蚀出多个第一材料单元；制备覆盖第一材料单元的隔离保护层，刻蚀出多个分别覆盖第一材料单元的隔离保护单元，且第一材料单元的至少一侧突出隔离保护单元的边界；对第一材料单元再次刻蚀，得到隔离保护单元与第一材料单元边界平齐的搭接侧；在基底上转移第二材料层，将其刻蚀为多个第二材料单元，第二材料单元的一端搭接隔离保护单元，另一端贴设于搭接侧一方的基底，且第二材料单元的中部与搭接侧上的第一材料单元的边界搭接。本发明中的方法，能够实现二维材料线接触异质结的阵列式制备，提升制备效率，降低制备成本。

本发明授权一种二维材料线接触异质结及其阵列式制备方法在权利要求书中公布了：1.一种二维材料线接触异质结的阵列式制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 1向基底上转移一个第一材料层，其中，第一材料层为二维材料； 2将第一材料层刻蚀为阵列分布于基底上的多个第一材料单元； 3在基底的表面制备覆盖所有第一材料单元的隔离保护层，其中，隔离保护层为绝缘层； 4将隔离保护层刻蚀为阵列分布的多个隔离保护单元；其中，所述隔离保护单元与第一材料单元一一对应，且各所述隔离保护单元分别覆盖在对应第一材料单元的上方，并使得各所述第一材料单元的至少一侧边缘突出隔离保护单元的边界； 5对各第一材料单元进行再次刻蚀，去除第一材料单元突出隔离保护单元边界的部分，对应层叠的两单元得到至少一个边界平齐的搭接侧； 6在基底上转移一个覆盖所有隔离保护单元的第二材料层；其中，第二材料层为二维材料； 7在第二材料层上刻蚀出多个阵列式的第二材料单元；各第二材料单元的一端搭接在隔离保护单元上，另一端搭接在基底的表面，且第二材料单元的中部与搭接侧上的第一材料单元的边缘线接触，以此得到阵列式分布的二维材料线接触异质结。

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