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龙图腾网获悉新唐科技日本株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120615331B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202480009366.7，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权半导体装置是由安田英司;佐佐木祯志;山本兴辉;伊藤裕介;木村晃设计研发完成，并于2024-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：半导体装置1具备：半导体层40，被划分为在平面观察时相互不重叠的第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3这三个区域；第一纵型MOS晶体管10，形成于第一区域A1；第二纵型MOS晶体管20，形成于第二区域A2；第三纵型MOS晶体管30，形成于第三区域A3；第一纵型MOS晶体管10的第一栅极布线118与第三纵型MOS晶体管30的第三栅极布线138经由以该顺序为正向的第一二极管113而串联电连接，第二纵型MOS晶体管20的第二栅极布线128与第三栅极布线138经由以该顺序为正向的第二二极管123而串联电连接。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，是能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，其特征在于， 具备： 半导体层，在背面侧具有半导体衬底，在所述半导体装置的平面观察时被划分为不相互重叠且各自不分散配置的三个区域即第一区域、第二区域、第三区域； 第一纵型MOS晶体管，整体形成在所述半导体层的所述第一区域； 第二纵型MOS晶体管，整体形成在所述半导体层的所述第二区域； 第三纵型MOS晶体管，整体形成在所述半导体层的所述第三区域；以及 金属层，与所述半导体层的背面侧接触地形成， 所述半导体衬底是所述第一纵型MOS晶体管、所述第二纵型MOS晶体管和所述第三纵型MOS晶体管的共通漏极区域， 在所述平面观察时，在包含在所述第一区域内的位置，形成所述第一纵型MOS晶体管的第一源极焊盘和第一栅极焊盘以及与所述第一栅极焊盘连接的第一栅极布线， 在所述平面观察时，在包含在所述第二区域内的位置，形成所述第二纵型MOS晶体管的第二源极焊盘和第二栅极焊盘以及与所述第二栅极焊盘连接的第二栅极布线， 在所述平面观察时，在包含在所述第三区域内的位置，形成所述第三纵型MOS晶体管的第三源极焊盘和第三栅极布线， 所述第一栅极布线和所述第三栅极布线在电气上经由以从所述第一栅极布线朝向所述第三栅极布线的方向为正向的第一二极管而串联连接， 所述第二栅极布线和所述第三栅极布线在电气上经由以从所述第二栅极布线朝向所述第三栅极布线的方向为正向的第二二极管而串联连接。

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