北京集成电路装备创新中心有限公司孙新获国家专利权
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龙图腾网获悉北京集成电路装备创新中心有限公司申请的专利内侧墙的刻蚀方法、半导体器件的制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120709141B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510847617.5，技术领域涉及：H10P50/24；该发明授权内侧墙的刻蚀方法、半导体器件的制备方法及半导体器件是由孙新;史小平设计研发完成，并于2025-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本内侧墙的刻蚀方法、半导体器件的制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供了内侧墙的刻蚀方法、半导体器件的制备方法及半导体器件；其中，在内侧墙的刻蚀方法中，包括沉积工艺阶段、修整工艺阶段和刻蚀工艺阶段，沉积工艺阶段利用第一工艺气体，在鳍结构的裸露表面上形成聚合物；其中，裸露表面包括鳍结构的顶部、侧壁以及沟槽底部；修整工艺阶段利用第二工艺气体去除侧壁上的聚合物，刻蚀工艺阶段利用第三工艺气体去除侧壁上的内侧墙材料，形成内侧墙，这种刻蚀方式，对鳍结构材料的刻蚀选择性和纵向横向刻蚀比均要求较低，从而有利于扩宽工艺窗口，提升工艺良率。
本发明授权内侧墙的刻蚀方法、半导体器件的制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种内侧墙的刻蚀方法，应用于半导体器件，所述半导体器件包括衬底以及形成于所述衬底上的鳍结构，所述鳍结构的裸露表面上沉积有内侧墙材料；其特征在于，所述方法包括：在衬底上外延鳍结构；其中，所述鳍结构包括牺牲层；横向刻蚀所述牺牲层，形成预设长度的填充空腔；在所述填充空腔中以及所述鳍结构的裸露表面上沉积内侧墙材料； 沉积工艺阶段：利用第一工艺气体，在所述鳍结构的裸露表面上形成聚合物；其中，所述裸露表面包括所述鳍结构的顶部、侧壁以及沟槽底部，所述鳍结构的顶部和沟槽底部的聚合物厚度均大于所述侧壁上的聚合物厚度； 修整工艺阶段：利用第二工艺气体，去除所述侧壁上的聚合物，直至所述侧壁上的聚合物完全去除，且所述鳍结构的顶部和沟槽底部的聚合物仍保留部分未去除； 刻蚀工艺阶段：利用第三工艺气体，去除所述侧壁上填充空腔之外的内侧墙材料，形成内侧墙。
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