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龙图腾网获悉苏州矩阵光电有限公司申请的专利一种3D霍尔芯片及阵列芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120761932B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511253770.1，技术领域涉及：G01R33/07；该发明授权一种3D霍尔芯片及阵列芯片是由请求不公布姓名;朱忻设计研发完成，并于2025-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种3D霍尔芯片及阵列芯片在说明书摘要公布了：本申请公开一种3D霍尔芯片及阵列芯片，3D霍尔芯片包括三个磁感应部、第一聚磁部和三个第二聚磁部，三个磁感应部中的两个磁感应部沿第一方向紧密相邻设置，第三个磁感应部与两个磁感应部中的一个磁感应部沿第二方向紧密相邻设置，第一聚磁部位于至少三个磁感应部在第三方向的一侧，至少三个第二聚磁部分别设置在至少三个磁感应部背离第一聚磁部的一侧，第一聚磁部在对应的磁感应部上的正投影，与第二聚磁部在对应的磁感应部上的正投影至少部分重合，且重合区域的至少部分位于对应的磁感应部的敏感中心区内，本申请中的3D霍尔芯片不仅可以实现三维磁场的检测，而且具有高灵敏度、体积小和低成本的特点。

本发明授权一种3D霍尔芯片及阵列芯片在权利要求书中公布了：1.一种3D霍尔芯片，其特征在于，包括： 三个磁感应部，两个所述磁感应部沿第一方向紧密相邻设置，第三个磁感应部与两个所述磁感应部中的一个所述磁感应部沿第二方向紧密相邻设置，且所述第一方向与所述第二方向正交； 第一聚磁部，位于三个磁感应部在第三方向的一侧，所述第三方向分别与所述第一方向和所述第二方向正交； 三个第二聚磁部，分别设置在三个所述磁感应部在所述第三方向上背离所述第一聚磁部的一侧，所述第一聚磁部在对应的磁感应部上的正投影，与所述第二聚磁部在对应的磁感应部上的正投影至少部分重合，且重合区域的至少部分位于对应的磁感应部的敏感中心区内；所述第二聚磁部在对应所述磁感应部上的正投影完全覆盖对应所述磁感应部的所述敏感中心区，且在所述第一方向上的两个所述第二聚磁部中，每个所述第二聚磁部均朝向远离相邻所述第二聚磁部的方向偏位设置，在所述第二方向上的两个所述第二聚磁部中，每个所述第二聚磁部均朝向远离相邻所述第二聚磁部的方向偏位设置。

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