广州市艾佛光通科技有限公司李国强获国家专利权
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龙图腾网获悉广州市艾佛光通科技有限公司申请的专利一种用于射频能量传输系统的肖特基二极管及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120957484B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511486707.2,技术领域涉及:H10D84/80;该发明授权一种用于射频能量传输系统的肖特基二极管及其制备方法是由李国强;翟红斌;吴昌桐;曹犇;蔡湘渝设计研发完成,并于2025-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于射频能量传输系统的肖特基二极管及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种用于射频能量传输系统的肖特基二极管及其制备方法,涉及肖特基势垒二极管技术领域。包括分别设置在多层结构左右两侧的阳极金属电极和阴极金属电极,阳极金属电极和阴极金属电极均按照预设的等效电路分别与缓冲层及其之上的层结构电连接,且阳极金属电极和阴极金属电极的上端均扣合在第二势垒层的上表面,阳极金属电极和第二势垒层之间还设置有插层作为夹层。本发明的肖特基二极管旨在解决现有制备过程中面临的工艺复杂、流片周期长、生产成本高以及工艺难度大等问题,显著降低了反向漏电,并简化了制备流程,从而提升了器件的性能和制备效率。
本发明授权一种用于射频能量传输系统的肖特基二极管及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种用于射频能量传输系统的肖特基二极管,包括多层结构,所述多层结构包括依次堆叠的衬底1、成核层2、缓冲层3、第一沟道层4、第一势垒层5、第二沟道层6、第二势垒层7和钝化层8,其特征在于,还包括分别设置在所述多层结构左右两侧的阳极金属电极9和阴极金属电极10,所述阳极金属电极9和所述阴极金属电极10均按照预设的等效电路分别与所述缓冲层3及其之上的层结构电连接,且所述阳极金属电极9和所述阴极金属电极10的上端均扣合在所述第二势垒层7的上表面,所述阳极金属电极9和所述第二势垒层7之间还设置有插层11作为夹层;所述插层11采用AlTiO材料制成;所述插层11覆盖所述第二势垒层7的部分表面,所述插层11与所述阴极金属电极10之间的第二势垒层7表面被所述钝化层8覆盖;所述插层11用于在反向偏压下夹断下方沟道,抑制漏电流; 所述等效电路包括由所述插层11和所述第二势垒层7构成的场效应晶体管HEMT,以及由所述第一势垒层5、所述第二沟道层6和所述第二势垒层7构成的第一肖特基二极管SBD1,以及由所述缓冲层3、所述第一沟道层4和所述第一势垒层5构成的第二肖特基二极管SBD2; 其中,所述阳极金属电极9作为阳极Anode同时与所述场效应晶体管HEMT的栅极、所述场效应晶体管HEMT的源极和所述第二肖特基二极管SBD2的正极连接;所述场效应晶体管HEMT的漏极与所述第一肖特基二极管SBD1的正极连接;所述阴极金属电极10作为阴极Cathode同时与所述第一肖特基二极管SBD1的负极和所述第二肖特基二极管SBD2的负极连接。
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