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龙图腾网获悉苏州大学申请的专利一种无掩模生长过渡金属硫属化合物阵列的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121023465B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511565820.X，技术领域涉及：C23C16/30；该发明授权一种无掩模生长过渡金属硫属化合物阵列的方法是由朱俊桐;张昌文;邹贵付;张子涵;顾博设计研发完成，并于2025-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种无掩模生长过渡金属硫属化合物阵列的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种无掩模生长过渡金属硫属化合物阵列的方法，包括如下步骤：将过渡金属盐和碱溶于水中形成前驱体溶液；通过OTS对基底进行疏水改性，然后通过激光打标机刻蚀形成亲水性阵列；将前驱体溶液旋涂在基底上，实现前驱体的区域限定分布；置于管式炉恒温区，将硫族粉末置于管式炉进气端，对管式炉抽真空并通入保护气体，启动加热，硫族粉末升华并进入管式炉恒温区与亲水性阵列区域的前驱体反应退火，得到过渡金属硫属化合物阵列。本发明采用无掩模生长方法，通过调控衬底表面亲疏水性与CVD参数协同作用实现TMDs阵列定向生长，可有效克服现有技术的缺陷，结晶度高、缺陷少、位置控制精度高、器件兼容性强、工艺简便、成本低。

本发明授权一种无掩模生长过渡金属硫属化合物阵列的方法在权利要求书中公布了：1.一种无掩模生长过渡金属硫属化合物阵列的方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、将过渡金属盐和碱溶于水中，形成前驱体溶液；所述过渡金属盐与碱的质量比为1-5：10；所述过渡金属盐为钼酸铵及其水合物、钼酸钠及其水合物、钼酸钾及其水合物、钨酸钠及其水合物、钨酸铵及其水合物中的一种或几种；所述碱为氢氧化钠和或氢氧化钾； S2、通过三氯十八烷基硅烷对基底进行改性处理，在基底表面形成硅氧烷疏水层，然后通过激光打标机刻蚀暴露出基底形成亲水性阵列；所述基底的材质为Si和或SiO2； S3、将前驱体溶液旋涂在具有亲水性阵列的基底上，实现前驱体的区域限定分布； S4、将旋涂处理后的基底置于管式炉恒温区，将硫族粉末置于管式炉进气端，然后对管式炉抽真空并通入保护气体，启动加热，硫族粉末升华并进入管式炉恒温区与亲水性阵列区域的前驱体反应退火，得到过渡金属硫属化合物阵列；管式炉进气端的加热目标温度为200-300℃，升温速率为6-8℃min；管式炉恒温区的加热目标温度为650-800℃，升温速率为14-16℃min；所述保护气体的流量为20-200sccm。

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