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龙图腾网获悉沈阳工业大学申请的专利一种多温度系数偏置系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121036700B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511147594.3，技术领域涉及：H03F1/30；该发明授权一种多温度系数偏置系统是由李萌;曲悦;任建;刘明熙;刘斌;何璐瑶;刘峻男;辛晓宁;潘明恩;陈雨昂;韩旭设计研发完成，并于2025-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多温度系数偏置系统在说明书摘要公布了：一种多温度系数偏置系统属于高压、高输出电流功率放大器偏置技术领域。本发明提供一种可提高放大器性能的多温度系数偏置系统。本发明包括带隙基准电压源、VI变换电路和偏置电路，其特征在于基准电压源的输出端连接VI变换电路的输入端，VI变换电路产生的参考电流进入偏置电路产生偏置电压；带隙基准电压源：输出低温度系数参考电压；VI变换电路：将低温度系数参考电压通过负反馈状态下高增益单级运放的虚短特性，让参考电压在不同温度系数电阻下产生不同温度系数参考电流，并通过共源共栅电流镜输出稳定的参考电流；偏置电路：使用改进低压共源共栅电流镜产生放大器核心需要的偏置电压。

本发明授权一种多温度系数偏置系统在权利要求书中公布了：1.一种多温度系数偏置系统，包括带隙基准电压源、VI变换电路和偏置电路，其特征在于基准电压源的输出端连接VI变换电路的输入端，VI变换电路产生的参考电流进入偏置电路产生偏置电压； 带隙基准电压源：输出低温度系数参考电压； VI变换电路：将低温度系数参考电压通过负反馈状态下高增益单级运放的虚短特性，让参考电压在不同温度系数电阻下产生不同温度系数参考电流，并通过共源共栅电流镜输出稳定的参考电流； 偏置电路：使用改进低压共源共栅电流镜产生放大器核心需要的偏置电压； 所述VI变换电路包括第五十一PMOS管，第五十一PMOS管的源极、第五十二PMOS管的源极、第五十三PMOS管的源极、第五十四PMOS管的源极、第五十七PMOS管的源极、第六十PMOS管的源极和衬底与VDD相连；第五十一PMOS管的漏极与第一电阻R1一端相连，第一电阻R1另一端与第四十NMOS管漏极相连；第四十NMOS管的栅极连至ENB； 第五十二PMOS的漏极与第五十三PMOS管的栅极、第四十一NMOS管的栅极相连；第五十三PMOS管漏极与第四十一NMOS漏极相连，形成反相器结构；第五十三PMOS管与第四十一NMOS相连的漏极连至使能PMOS管的栅极；第五十四PMOS管、第五十五PMOS管、第五十六PMOS管串联； 第五十七PMOS管、第五十八PMOS管、第五十九PMOS管串联；第六十PMOS管、第六十一PMOS管、第六十二PMOS管串联；第四十七NMOS管、第四十八NMOS管、第四十九NMOS管串联；第五十NMOS管、第五十一NMOS管、第五十二NMOS管串联；第五十三NMOS管、第五十四NMOS管、第五十五NMOS管串联； 第四十五NMOS管的栅极接运算放大器的输出，第四十五NMOS管的漏极与第五十九PMOS管的漏极相连，第四十五NMOS管的源极与电阻RTC、运算放大器的反向输入端相连； 所述偏置电路包括正电源VCC，VCC与第二十七PMOS管、第三十PMOS管、第三十三PMOS管、第三十六PMOS管的源级和衬底相连； 第二十七PMOS管的栅极与第二十八PMOS管的栅极、第二十九PMOS的漏极相连，记为VP2； 第三十PMOS管、第三十一PMOS管、第三十二PMOS管串联；第三十三PMOS管、第三十四PMOS管、第三十五PMOS管串联；第三十六PMOS管、第三十七PMOS管、第三十八PMOS管串联；第二十七NMOS管、第二十八NMOS管、第二十九NMOS管串联；第三十NMOS管、第三十一NMOS管、第三十二NMOS管串联； 第三十PMOS管、第三十三PMOS管、第三十六PMOS管的栅极连至IB2；第三十一PMOS管、第三十四PMOS管、第三十七PMOS管的栅极连至VP2；第三十二PMOS管、第三十五PMOS管、第三十八PMOS管的栅极连至IB1； 第二十七NMOS管与第三十NMOS管栅极相连记为VBN3，第二十八NMOS管与第三十一NMOS管栅极相连记为VBN2，第二十九NMOS管与第三十二NMOS管栅极相连记为VBN1； 所述VCC与第一PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十四PMOS管、第十五PMOS管、第二十PMOS管、第二十五PMOS管、第二十六PMOS管的源极、衬底相连； 第二十PMOS管、第二十一PMOS管、第二十二PMOS管串联；第二十三PMOS管和第二十四PMOS管的源极与第二十二PMOS管的漏极相接；第二十三PMOS管的栅极与VIN相接，第二十四PMOS管的栅极与VIP相接；第二十三NMOS管的漏极与第二十三PMOS管的漏极相连，第二十四NMOS的漏极与第二十四PMOS管的漏极相接； 第二十NMOS管、第二十一NMOS管、第二十二NMOS管串联；第十八PMOS管和第十九PMOS管的栅极与第三NMOS管的漏极相接；第十八NMOS管的栅极与VIN相接，第十九NMOS管的栅极与VIP相接；第二十五PMOS管的漏极与第十八NMOS管的漏极相连，第二十六PMOS的漏极与第十九NMOS管的漏极相接； 第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管串联；第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管串联；第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管串联；第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十三PMOS管串联；第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管串联；第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管串联；第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管串联； 第一NMOS管漏栅相接，第一NMOS管栅极与第二NMOS管的栅极连接；第十八PMOS管漏栅相接，第十八PMOS管栅极与第十九PMOS管栅极连接；第三NMOS管漏栅相接，第三NMOS管栅极与第十八PMOS漏极相接； 第十六PMOS的漏极与第九NMOS管的漏极相接，记为ISR2，第十六PMOS管的栅极与第十七PMOS管的栅极相连；第十七PMOS自身源漏相接；第十六NMOS管的漏极与第九PMOS的漏极相连，记为ISR1，第十六NMOS管的栅极与第十五NMOS管的栅极相接；第十五NMOS管自身源漏相接； 第十五PMOS管的漏极与第十七NMOS的漏极相连，即为VO；第一电容C1与第一电阻R1串联，两端口为ISR1与VO；第二电容C2与第二电阻R2串联，两端口为ISR2与VO。

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