合肥晶合集成电路股份有限公司王春获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利背照式图像传感器及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121038388B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511543420.9，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权背照式图像传感器及其制备方法、电子设备是由王春;胡春丽;张肖月设计研发完成，并于2025-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本背照式图像传感器及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种背照式图像传感器及其制备方法、电子设备，该背照式图像传感器包括：衬底、衬底表面上依次设置的外延层、绝缘介质层、光阻挡层和厚度可控的透明导电层；其中，外延层上设有有源区和虚设区，光阻挡层与焊盘电连接；所述焊盘被配置为向所述光阻挡层施加负电压，使透明导电层和有源区之间形成电容结构。本发明通过将透明导电层置于光阻挡层之上，在改善暗电流现象的同时，解决了厚度不可控的问题。
本发明授权背照式图像传感器及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括：衬底、衬底表面上依次设置的外延层、绝缘介质层、光阻挡层和厚度可控的透明导电层；其中，外延层上设有有源区和虚设区，光阻挡层与焊盘电连接；所述焊盘被配置为向所述光阻挡层施加负电压，使透明导电层和有源区之间形成电容结构；其中，在衬底上形成外延层，于外延层上方进行绝缘介质层沉积，于绝缘介质层上方形成光阻挡层，于光阻挡层上进行透明导电层沉积； 所述透明导电层包括相邻的第一透明导电层和第二透明导电层，与光阻挡层邻接的第一透明导电层上具有刻蚀图案，且至少与红色信号通道对应的区域具有镂空图案，第二透明导电层厚度小于第一透明导电层；其中，形成具有镂空图案的第一透明导电层后，还在该第一透明导电层表面进行透明导电层的再次沉积，得到第二透明导电层结构。
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