中国科学院宁波材料技术与工程研究所;宁波杭州湾新材料研究院袁其龙获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院宁波材料技术与工程研究所;宁波杭州湾新材料研究院申请的专利一种多晶金刚石膜的制备方法及应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121087451B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511657689.X,技术领域涉及:C23C16/27;该发明授权一种多晶金刚石膜的制备方法及应用是由袁其龙;江南;范苏俊;褚伍波;杨科设计研发完成,并于2025-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多晶金刚石膜的制备方法及应用在说明书摘要公布了:本发明公开了一种多晶金刚石膜的制备方法及应用,所述制备方法,包括:S1、将泡沫铜压铸在铜衬底上形成铜基底;S2、对铜基底进行酸洗去除氧化层;S3、对铜基底表面涂覆金刚石粉悬浮液种子层;S4、将涂覆有金刚石粉悬浮液种子层的铜基底置于CVD反应腔中,通入甲烷和氢气,控制生长温度,沉积多晶金刚石膜,酸刻蚀或激光切割所述铜基底,得到多晶金刚石膜。经所述制备方法制得的多晶金刚石膜在生长过程中不会因铜和金刚石热膨胀系数差异而出现翘曲、脱落的情况,进而能够制备得到规整且附着牢固的多晶金刚石膜,在高导热、耐磨及电子器件散热材料领域有广泛应用。
本发明授权一种多晶金刚石膜的制备方法及应用在权利要求书中公布了:1.一种多晶金刚石膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: S1、将泡沫铜压铸在铜衬底上形成铜基底; S2、对铜基底进行酸洗去除氧化层; S3、对铜基底表面涂覆金刚石粉悬浮液种子层; S4、将涂覆有金刚石粉悬浮液种子层的铜基底置于CVD反应腔中,通入甲烷和氢气,控制生长温度,沉积多晶金刚石膜,酸刻蚀或激光切割所述铜基底,得到多晶金刚石膜。
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