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龙图腾网获悉湖北星辰技术有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121096960B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511622652.3，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权半导体器件及其形成方法是由杨道虹;胡陈诚;陶野;熊卓;朱黎晓设计研发完成，并于2025-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体器件及其形成方法，形成方法包括：提供基底；基底包括衬底和位于衬底的第一侧的介质层；在介质层中形成多个第一通孔和第一沟槽；第一沟槽由基底的顶面沿第一方向延伸至介质层中；多个第一通孔均由第一沟槽的底面沿第一方向延伸至介质层中，且位于第一沟槽与衬底之间；在多个第一通孔中形成多个第一连接结构，并在第一沟槽中形成第二连接结构；多个第一连接结构沿第一方向相对的两端中的第一端均与第二连接结构连接；从衬底的第二侧形成沿第一方向贯穿衬底、延伸至介质层中并暴露多个第一连接结构的第二沟槽；第二沟槽至少暴露多个第一连接结构沿第一方向相对的两端中的第二端以及部分侧壁；在第二沟槽中形成第三连接结构。

本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底；所述基底包括衬底和位于所述衬底沿第一方向的第一侧的介质层；所述第一方向与所述衬底垂直； 在所述介质层中形成多个第一通孔和第一沟槽；所述第一沟槽由所述基底的顶面沿所述第一方向的反方向延伸至所述介质层中；所述多个第一通孔均由所述第一沟槽的底面沿所述第一方向的反方向延伸至所述介质层中，且位于所述第一沟槽与所述衬底之间； 在所述多个第一通孔中形成多个第一连接结构，并在所述第一沟槽中形成第二连接结构；所述多个第一连接结构沿所述第一方向的第一端均与所述第二连接结构连接； 从所述衬底沿所述第一方向的反方向的第二侧形成沿所述第一方向贯穿所述衬底、延伸至所述介质层中并暴露所述多个第一连接结构的第二沟槽；所述第二沟槽暴露所述多个第一连接结构沿所述第一方向的反方向的第二端以及整个侧壁，且所述第二沟槽暴露所述第二连接结构； 在所述第二沟槽中形成第三连接结构；所述多个第一连接结构以及所述第二连接结构均与所述第三连接结构连接。

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