中国科学院宁波材料技术与工程研究所;宁波杭州湾新材料研究院袁其龙获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院宁波材料技术与工程研究所;宁波杭州湾新材料研究院申请的专利一种单晶金刚石横向扩晶方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121110175B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511657116.7，技术领域涉及：C30B25/00；该发明授权一种单晶金刚石横向扩晶方法是由袁其龙;江南;江名鑫;褚伍波;杨国永设计研发完成，并于2025-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单晶金刚石横向扩晶方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单晶金刚石横向扩晶方法，包括：首先对单晶金刚石籽晶进行生长前处理；然后在获得的钼托中央设置凹槽，所述凹槽的深度d为：H≤d≤H+1mm，其中，0.3mm≤H‑h≤2.5mm，h为金刚石籽晶的厚度，H为金刚石籽晶横向扩晶后的厚度，所述凹槽的边缘与单晶金刚石籽晶的边缘的距离为1mm‑5mm；最后使用MPCVD方法进行单晶金刚石生长，实现单晶金刚石横向扩晶。该方法有效抑制单晶金刚石边缘多晶生长，实现稳定的横向扩晶。
本发明授权一种单晶金刚石横向扩晶方法在权利要求书中公布了：1.一种单晶金刚石横向扩晶方法，其特征在于，包括： 1对单晶金刚石籽晶进行生长前处理； 2在获得的钼托中央设置凹槽，所述凹槽的深度d为：H≤d≤H+1mm，其中，0.3mm≤H-h≤2.5mm，h为金刚石籽晶的厚度，H为金刚石籽晶横向扩晶后的厚度，所述凹槽的边缘与单晶金刚石籽晶的边缘的距离为1mm-5mm，所述凹槽的边长为：l+2*H-h+2mm≤L≤l+2*H-h+5mm，l为单晶金刚石籽晶的边长，L为凹槽边长； 3使用MPCVD方法进行单晶金刚石生长，实现单晶金刚石横向扩晶。
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