山东大学深圳研究院田伟获国家专利权
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龙图腾网获悉山东大学深圳研究院申请的专利一种硅纳米线的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121158724B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511686362.5，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种硅纳米线的制作方法是由田伟;陶继方;温良恭设计研发完成，并于2025-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅纳米线的制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种硅纳米线的制作方法，属于MEMS技术领域。步骤包括：S1、提供一SOI衬底；S2、在SOI衬底上形成掩膜层；S3、图形化掩膜层，形成腐蚀窗口；S4、通过腐蚀窗口对SOI衬底进行各向同性刻蚀，形成空腔和硅纳米柱；S5、对硅纳米柱进行氧化，形成氧化层和硅纳米线；S6、去除埋氧层及氧化层，得到悬空的硅纳米线。本发明解决了现有技术中硅纳米线制备方法复杂、设备要求高、批量一致性差的问题。
本发明授权一种硅纳米线的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种硅纳米线的制作方法，其特征在于，步骤如下： S1、提供一SOI衬底，SOI衬底自下向上包括衬底硅、埋氧层和顶层硅； S2、在SOI衬底上形成掩膜层； S3、图形化掩膜层，形成腐蚀窗口； S4、通过腐蚀窗口，采用XeF2各向同性刻蚀技术对顶层硅进行刻蚀，形成空腔和硅纳米柱，进行XeF2各向同性刻蚀时，采用脉冲式工艺，形成的硅纳米柱位于埋氧层上侧，与掩膜层无接触； S5、对硅纳米柱进行热氧化，形成氧化层和硅纳米线； S6、去除氧化层及部分埋氧层，得到悬空的硅纳米线。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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