华中科技大学刘天翔获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种基于归一化交叉耦合磁路的电机设计方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121168175B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511705346.6，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种基于归一化交叉耦合磁路的电机设计方法及应用是由刘天翔;罗俊强;杨路;李天乐;贾伊非;杨凯;罗伊逍;熊飞;罗成;洪森设计研发完成，并于2025-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于归一化交叉耦合磁路的电机设计方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于归一化交叉耦合磁路的电机设计方法，包括：按照永磁体磁极空间均匀划分构建包含对称磁路节点的永磁体特征位置磁路模型；将d轴不对称分布的磁动势等效映射至所述永磁体特征位置磁路模型中，实现d轴磁动势与永磁体磁动势的归一化处理；基于权重分配将d轴各齿磁动势叠加至所述永磁体特征磁路模型的对称磁路节点，生成等效d轴磁动势；将所述等效d轴磁动势与永磁体磁动势共同嵌入所述永磁体特征磁路模型，形成交叉耦合磁路模型；对所述交叉耦合磁路模型进行迭代计算，求解磁路方程直至收敛，得到电机设计参数。其可以适配大容量低速电机的多谐波及高电磁负荷特性，提高磁场计算准确性。
本发明授权一种基于归一化交叉耦合磁路的电机设计方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种基于归一化交叉耦合磁路的电机设计方法，其特征在于，包括： 按照永磁体磁极空间均匀划分构建包含对称磁路节点的永磁体特征位置磁路模型； 将d轴不对称分布的磁动势等效映射至所述永磁体特征位置磁路模型中，实现d轴磁动势与永磁体磁动势的归一化处理； 基于权重分配将d轴各齿磁动势叠加至所述永磁体特征位置磁路模型的对称磁路节点，生成等效d轴磁动势； 将所述等效d轴磁动势与永磁体磁动势共同嵌入所述永磁体特征位置磁路模型，形成交叉耦合磁路模型； 对所述交叉耦合磁路模型进行迭代计算，求解磁路方程直至收敛，得到电机设计参数。
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