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龙图腾网获悉桂林电子科技大学申请的专利一种芯片封装结构的热应力仿真模型构建方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121211846B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511444358.8，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种芯片封装结构的热应力仿真模型构建方法及系统是由钟思;何淑娴;秦红波;李金鹏;唐文杰;冯琪;李圳;高淑清设计研发完成，并于2025-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片封装结构的热应力仿真模型构建方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及数据处理技术领域，具体涉及一种芯片封装结构的热应力仿真模型构建方法及系统，该方法包括：建立芯片封装模型，并对各层封装体模型进行网格拆分，得到多个网格区域；确定芯片封装模型的完整导热路径，并从所有的完整导热路径中确定各完整导热路径在各层封装体模型中存在接触位置的目标完整导热路径；根据目标完整导热路径、目标完整导热路径的接触位置的连线上经过的其他层的封装体模型的网格区域，确定目标完整导热路径对芯片封装模型的整体封装结构的热应力贡献因子；基于热应力贡献因子确定目标完整导热路径在芯片封装模型中的应力集中分布程度。如此，本发明提高了热应力集中区域的评估结果的准确性。

本发明授权一种芯片封装结构的热应力仿真模型构建方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装结构的热应力仿真模型构建方法，其特征在于，所述芯片封装结构的热应力仿真模型构建方法包括： 建立芯片封装模型，所述芯片封装模型中各层封装体模型的材料和尺寸参数可调，并对所述各层封装体模型进行网格拆分，得到多个网格区域； 根据各所述网格区域在以当前材料和尺寸参数进行封装的过程中各时刻的温度数值，确定所述芯片封装模型的完整导热路径，并从所有的完整导热路径中确定各所述完整导热路径在所述各层封装体模型中存在接触位置的目标完整导热路径； 根据所述目标完整导热路径、所述目标完整导热路径的接触位置的连线上经过的其他层的封装体模型的网格区域，确定所述目标完整导热路径对所述芯片封装模型的整体封装结构的热应力贡献因子； 基于所述热应力贡献因子确定所述目标完整导热路径在所述芯片封装模型中的应力集中分布程度； 所述确定所述芯片封装模型的完整导热路径包括： 根据所述网格区域在封装过程中各时刻的温度数值、目标封装温度和第一次到达所述目标封装温度的目标封装时间以及所述网格区域与所述网格区域所在的封装体模型的中心网格之间的距离，确定所述网格区域的边界因子； 根据所述网格区域的边界因子和与所述网格区域相邻的相邻网格区域的边界因子，确定所述网格区域的和向量； 确定所述网格区域与所述网格区域所处对应层的封装体模型中任意网格区域的余弦相似性的标准差和均值； 基于所述标准差和均值确定导热路径筛选条件； 根据所述网格区域与所述相邻网格区域之间的余弦相似性选取满足所述导热路径筛选条件的导热路径点，将所述网格区域和所述导热路径点记为一条局部导热路径； 根据所述网格区域的和向量和所述导热路径点的和向量，确定所述导热路径的方向向量； 将所述导热路径中的网格区域和导热路径点进行合并后作为一个新的网格区域并放置于所述新的网格区域对应的层的封装体模型中，循环执行筛选满足所述导热路径筛选条件的导热路径点，直至不再出现满足所述导热路径筛选条件的导热路径点，得到所述完整导热路径； 所述确定所述目标完整导热路径对所述芯片封装模型的整体封装结构的热应力贡献因子包括： 确定所述目标完整导热路径所处层的封装体模型之间的间隔层数、所述芯片封装模型中封装体模型的总层数、以及所述目标完整导热路径的接触位置的连线上经过的其他层的封装体模型的网格区域的边界因子； 确定所述目标完整导热路径的方向向量之间的余弦相似性； 根据所述间隔层数、所述总层数、所述连线上经过的其他层的封装体模型的网格区域的边界因子以及所述余弦相似性，确定所述热应力贡献因子。

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