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龙图腾网获悉上海超导科技股份有限公司申请的专利面向超导磁体不同位置线圈的带材组合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121237530B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511768364.9，技术领域涉及：H01F6/06；该发明授权面向超导磁体不同位置线圈的带材组合方法是由石佳玉;朱佳敏;甄水亮;张俊豪;柏培;陈思侃;王雪峰;金意富;钱鸣浩;孙君杰;张森生设计研发完成，并于2025-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本面向超导磁体不同位置线圈的带材组合方法在说明书摘要公布了：本发明涉及超导带材制造领域,提供了一种面向超导磁体不同位置线圈的带材组合方法，包括以下步骤：通过电磁仿真确定磁体各线圈所处空间的磁场角度分布，将所需带材划分为多个性能类别；采用包括钉扎配方优化、多层镀膜、分切宽度调整及脉冲激光沉积PLD设备筛选在内的组合生产工艺，定向制备各性能类别对应的超导带材；利用快速检测系统，通过简单条件下的全角度临界电流测试结合拟合模型及提升系数测量，将性能数据外推至复杂的实际工况。本发明实现了带材性能与磁体空间磁场分布的精准匹配，在保证磁体性能的同时提升了材料利用效率、降低了制造成本，增强了磁体运行的可靠性。

本发明授权面向超导磁体不同位置线圈的带材组合方法在权利要求书中公布了：1.一种面向超导磁体不同位置线圈的带材组合方法，其特征在于，包括： S1：获取超导磁体不同位置线圈处的磁场特性，所述磁场特性包括：磁场中垂直磁场分量与平行磁场分量的占比，所述垂直磁场分量平行于超导磁体的径向，所述平行磁场分量平行于超导磁体的轴向，所述超导磁体不同位置分为垂直磁场分量主导位置、平行磁场分量主导位置和垂直-平行磁场分量均衡位置； S2：针对S1中的超导磁体不同位置的线圈，分别选用适配对应位置磁场特性的带材； S3：用S2中适配不同位置磁场特性的带材，分别在超导磁体的对应位置绕制线圈，所述线圈串联形成超导磁体； 选用PLD设备生产S2中使用的带材，所述带材在垂直磁场和平行磁场下的临界电流比值称为临界电流比，所述临界电流比和使用的PLD设备具有关联性； 同一PLD设备在相同工艺参数下产出的带材，其临界电流比的波动幅度小于10%，具有性能一致性； 不同PLD设备在相同工艺参数下产出的带材，其临界电流比的差异为10%～30%，具有性能区分度； 不同PLD设备能够分别用于生产临界电流比适配超导磁体上的垂直磁场分量主导位置、平行磁场分量主导位置或垂直-平行磁场分量均衡位置的带材； 建立设备性能数据库，统计不同PLD设备在相同工艺参数下生产的带材的类型，包括：适用于垂直磁场分量主导位置、平行磁场分量主导位置和垂直-平行磁场分量均衡位置的带材； 筛选能够生产上述三类位置带材的PLD设备； 使用筛选出的PLD设备生产带材，使用该带材在超导磁体对应的垂直磁场分量主导位置、平行磁场分量主导位置或垂直-平行磁场分量均衡位置处绕制线圈； θ表示带材表面法线与带材所处磁场方向的夹角； 所述垂直磁场分量主导位置的磁场符合-30°＜θ≤30°； 所述平行磁场分量主导位置的磁场符合60°＜θ≤120°； 所述垂直-平行磁场分量均衡位置的磁场符合30°＜θ≤60°或120°＜θ≤150°。

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