西安电子科技大学杭州研究院周久人获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学杭州研究院申请的专利三明治结构纤锌矿铁电材料及其原子层沉积制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121250336B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511794410.2，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权三明治结构纤锌矿铁电材料及其原子层沉积制备方法是由周久人;郑思颖;韩根全;郝跃设计研发完成，并于2025-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本三明治结构纤锌矿铁电材料及其原子层沉积制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及三明治结构纤锌矿铁电材料及其原子层沉积制备方法，属于半导体材料与微电子器件制造领域。该方法采用原子层沉积ALD工艺，在衬底上依次沉积底层AlN薄膜、含敏感元素的氮化物功能层和顶层AlN薄膜，形成AlN氮化物功能层AlN的叠层结构。本发明旨在解决现有技术中含敏感元素的铁电材料组分厚度难以精确控制且易氧化降解的技术难题。ALD工艺能实现对材料化学成分与厚度的原子级精确控制；双AlN层结构可将核心功能层完全包覆，提供原位封装保护，从根本上解决了其易氧化、降解的问题，显著提升了材料的稳定性。本发明还保护由该方法制备的叠层材料及其在射频滤波器、铁电存储器等器件中的应用。
本发明授权三明治结构纤锌矿铁电材料及其原子层沉积制备方法在权利要求书中公布了：1.三明治结构纤锌矿铁电材料的原子层沉积制备方法，其特征在于，包括以下步骤： a采用原子层沉积工艺，在衬底上沉积一层底层AlN薄膜； b在所述底层AlN薄膜上沉积一层含敏感元素的氮化物功能层； c在所述氮化物功能层上沉积一层顶层AlN薄膜，以将所述氮化物功能层封装于所述底层AlN薄膜与所述顶层AlN薄膜之间； 其中，所述氮化物功能层的厚度为所述顶层AlN薄膜与底层AlN薄膜厚度之和的1%至40%；所述底层AlN薄膜和所述顶层AlN薄膜的厚度各自独立地为1nm至50nm。
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