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龙图腾网获悉中南大学申请的专利一种芯片内外光互连架构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121254438B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511816843.3，技术领域涉及：G02B6/42；该发明授权一种芯片内外光互连架构是由郑煜;刘树;覃兵东;曾可设计研发完成，并于2025-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片内外光互连架构在说明书摘要公布了：本发明属于光纤通信技术领域，公开了一种芯片内外光互连架构。所述芯片内外光互连架构包括印刷电路板、玻璃基板、芯片单元和外部光接口；玻璃基板设在印刷电路板上方，芯片单元设在玻璃基板上方，外部光接口设在玻璃基板侧面；玻璃基板中设有重布线层和光波导，芯片单元下方设有重布线层；芯片单元包括主芯片、存储芯片、电子集成芯片、光子集成芯片；光子集成芯片通过光波导与外部光接口实现光耦合。还提供了一种芯片内外光互连架构的制造方法，所述芯片内外光互连架构为前述的芯片内外光互连架构。本发明能够极大缩短高速数据传输的电互连距离，提高传输速率与信号质量，降低器件功耗。

本发明授权一种芯片内外光互连架构在权利要求书中公布了：1.一种芯片内外光互连架构的制造方法，其特征在于，所述芯片内外光互连架构包括印刷电路板1、玻璃基板2、芯片单元3和外部光接口4； 所述玻璃基板2设置在印刷电路板1的上方，所述芯片单元3设置在玻璃基板2的上方，所述外部光接口4设置在玻璃基板2的侧面；玻璃基板2中设置有重布线层21，芯片单元3的下方设置有重布线层21； 所述芯片单元3包括主芯片31、存储芯片32、电子集成芯片33、光子集成芯片34；主芯片31通过重布线层21与存储芯片32和电子集成芯片33实现电互连；电子集成芯片33通过重布线层21与光子集成芯片34实现电互连；玻璃基板2中还设置有光波导22，光子集成芯片34通过光波导22与外部光接口4实现光耦合； 所述制造方法包括玻璃基板2的制造过程； 所述玻璃基板2的制造过程具体包括： 首先在玻璃晶圆上沉积掩膜层，旋涂光刻胶并前烘，进行对准曝光并显影；之后后烘刻蚀并去除光刻胶；下一步将去除光刻胶并清洁好的玻璃晶圆放入熔融盐中进行离子交换，在玻璃晶圆上制造出表层波导；随后在玻璃晶圆上沉积一层介电层，采用灰度光刻的方法制造出具有渐变厚度的介电层，在玻璃晶圆上下表面分别接通正负电极后，由于介电层的厚度不均匀，产生了非均匀电场，从而实现光波导的深度可控掩埋，在玻璃晶圆上制造出三维波导； 然后同样采用光刻方法在玻璃晶圆上制造出定位结构；完成后采用激光改性或酸碱腐蚀液刻蚀的方法制造玻璃通孔；最后在玻璃晶圆的表面制造重布线层。

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