南京工业大学张军然获国家专利权
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龙图腾网获悉南京工业大学申请的专利一种手性钙钛矿半导体圆偏振发光增强结构及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121271539B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511852263.X，技术领域涉及：C09K11/66；该发明授权一种手性钙钛矿半导体圆偏振发光增强结构及其制备方法和应用是由张军然;王琳;毛子龙;史义永;占桂祥设计研发完成，并于2025-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种手性钙钛矿半导体圆偏振发光增强结构及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种手性钙钛矿半导体圆偏振发光增强结构及其制备方法和应用，属于手性光电半导体材料与微纳器件技术领域。该结构由两层手性钙钛矿半导体纳米片通过可控扭转角堆叠形成同质结，扭转角范围为0°至90°。通过调节层间扭转角，实现对圆偏振发光偏振度的连续调控与显著增强，特别是在平行堆叠0°扭转角时，圆偏振发光偏振度与单独纳米片和垂直堆叠90°扭转角相比，提升3倍。该增强效应源于扭转角依赖的层间耦合，促进了自旋选择性电荷转移、增强了激子结合能并抑制了电子‑声子散射。本发明提供了一种通过扭转角调控偏振度的有效途径，适用于圆偏振发光器件、自旋光电子器件和量子信息处理等领域。
本发明授权一种手性钙钛矿半导体圆偏振发光增强结构及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种手性钙钛矿半导体圆偏振发光增强结构，其特征在于：包括两层具有相同手性构型的手性钙钛矿半导体纳米片，所述纳米片通过面内旋转并以可控的扭转角θ堆叠形成手性钙钛矿同质结，所述扭转角θ在0°-90°范围内连续可调，通过改变所述扭转角θ能够实现对结构圆偏振发光偏振度的连续调控，所述手性钙钛矿同质结为两层R型或两层S型对映体，其化学式为R-MBA2PbI4或S-MBA2PbI4，其中MBA为C6H5C2H4NH3⁺；手性钙钛矿半导体纳米片通过机械剥离方法从手性钙钛矿单晶块体材料制备得到，剥离纳米片的厚度为10nm。
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