北京纳米能源与系统研究所程廷海获国家专利权
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龙图腾网获悉北京纳米能源与系统研究所申请的专利连续流体原位监测装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121297963B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511851005.X，技术领域涉及：G01F1/64；该发明授权连续流体原位监测装置及方法是由程廷海;于洋;李恒禹;魏杰;张晓松;王健龙设计研发完成，并于2025-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本连续流体原位监测装置及方法在说明书摘要公布了：本申请涉及原位传感技术领域，公开一种连续流体原位监测装置及方法。该连续流体原位监测装置包括：流体通道，用于限定连续流体在第一方向上的流动路径；摩擦电组件，包括第一半导体、第二半导体和两个电极，所述第二半导体与所述第一半导体的类型不同、并沿所述第一方向间隔设置，且部分所述第二半导体与部分所述第一半导体暴露于所述流体通道；两个所述电极在所述第一方向上间隔设置，沿与所述第一方向垂直的第二方向，两个所述电极中的一个电极设于所述第二半导体背离所述流体通道的一侧，另一个电极设于所述第一半导体背离所述流体通道的一侧。该连续流体原位监测装置可以对连续流体的流矢量进行有效监测。
本发明授权连续流体原位监测装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种连续流体原位监测装置，其特征在于，包括： 流体通道，用于限定连续流体在第一方向上的流动路径； 摩擦电组件，包括第一半导体、第二半导体和两个电极，所述第二半导体与所述第一半导体的类型不同、并沿所述第一方向间隔设置，且部分所述第二半导体与部分所述第一半导体暴露于所述流体通道；两个所述电极在所述第一方向上间隔设置，沿与所述第一方向垂直的第二方向，两个所述电极中的一个电极设于所述第二半导体背离所述流体通道的一侧，另一个电极设于所述第一半导体背离所述流体通道的一侧; 其中，所述第一半导体为N型半导体与P型半导体之中的一个，所述第二半导体为N型半导体与P型半导体之中的另一个。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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