电子科技大学张羽获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于Pd/WO3-x的ppb级双信号氢气传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121298711B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511864564.4，技术领域涉及：G01N21/78；该发明授权一种基于Pd/WO3-x的ppb级双信号氢气传感器及其制造方法是由张羽;蒋洪川;赵晓辉;邓新武设计研发完成，并于2025-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于Pd/WO3-x的ppb级双信号氢气传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于PdWO3‑x的ppb级双信号氢气传感器及其制造方法，属于传感器制备技术领域。该传感器由下至上依次包括：单通阳极氧化铝衬底、缺氧型氧化钨WO3‑x氢气敏感层、薄层Pd变色催化层、厚层Pd电阻催化层、电极层；电极层为Ag、Au、Cu、Al中的任意一种。本发明提供的氢气传感器具有高灵敏度、ppb级探测下限，加工难度低，电阻‑色差双信号相互印证，为传感器衬底设计提供了新思路。
本发明授权一种基于Pd/WO3-x的ppb级双信号氢气传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基于PdWO3-x的ppb级双信号氢气传感器，其特征在于，该传感器由下至上依次包括：单通阳极氧化铝衬底、缺氧型氧化钨WO3-x氢气敏感层、薄层Pd变色催化层、厚层Pd电阻催化层、电极层； 其中，厚层Pd电阻催化层在薄层Pd变色催化层上表面图形化，电极层涂布于厚层Pd电阻催化层上表面两侧及周围部分薄层Pd变色催化层上； 所述缺氧型氧化钨WO3-x氢气敏感层的厚度为200-400nm，所述薄层Pd变色催化层的厚度为10-30Å；所述厚层Pd电阻催化层的厚度≥50nm，所述电极层的厚度≥2μm。
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