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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种具有阳极短路结构的漂移阶跃恢复二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121310631B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511867094.7，技术领域涉及：H10D84/00；该发明授权一种具有阳极短路结构的漂移阶跃恢复二极管是由陈资文;陈万军;杨早;郑崇芝;张波设计研发完成，并于2025-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有阳极短路结构的漂移阶跃恢复二极管在说明书摘要公布了：本发明属于脉冲功率半导体技术，提供一种具有阳极短路结构的漂移阶跃恢复二极管，其元胞自上而下包括阳极结构、耐压层结构与阴极结构，阳极结构为包括二极管阳极部分、NPN晶体管部分以及隔离与绝缘部分的混合阳极结构；二极管阳极部分、NPN晶体管部分和隔离与绝缘部分共同位于耐压层结构之上；二极管阳极部分由下至上包括P型低掺杂层、P型阳极区和阳极金属；NPN晶体管部分由下至上包括P型基区与N型阳极区，再与N型漂移区共同构成一个NPN晶体管；阳极金属位于二极管阳极部分的P型阳极区、NPN晶体管部分和隔离与绝缘部分的上表面，同时接触P型阳极区和N型阳极区，形成短路点，即阳极短路，兼具更好的脉冲输出特性与更低工艺难度。

本发明授权一种具有阳极短路结构的漂移阶跃恢复二极管在权利要求书中公布了：1.一种具有阳极短路结构的漂移阶跃恢复二极管，其特征在于，其元胞自上而下包括阳极结构、耐压层结构与阴极结构，其中，阳极结构为包括二极管阳极部分、NPN晶体管部分以及隔离与绝缘部分的混合阳极结构； 阴极结构由下至上包括阴极金属、N型阴极区及N型场截止层； 耐压层结构为N型漂移区，位于阴极结构之上； 二极管阳极部分、NPN晶体管部分和隔离与绝缘部分共同位于耐压层结构之上； 二极管阳极部分由下至上包括P型低掺杂层、P型阳极区和阳极金属； NPN晶体管部分由下至上包括P型基区与N型阳极区，再与N型漂移区共同构成一个NPN晶体管，N型漂移区作为NPN晶体管的集电极； 二极管阳极部分NPN晶体管部分一侧与二极管阳极部分接触，另一侧与隔离与绝缘部分接触； 阳极金属位于二极管阳极部分的P型阳极区、NPN晶体管部分和隔离与绝缘部分的上表面，同时接触P型阳极区和N型阳极区，形成短路点，即阳极短路。

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