买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种二维半导体硫化物低损伤等离子掺杂方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121310854B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511817441.5，技术领域涉及：H10P32/12；该发明授权一种二维半导体硫化物低损伤等离子掺杂方法是由张博宇;曾祥斌设计研发完成，并于2025-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种二维半导体硫化物低损伤等离子掺杂方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体材料领域，公开了一种基于功率密度降低的二维半导体硫化物低损伤等离子掺杂方法。该方法包括：将二维半导体硫化物样本置于反应腔室内，并对反应腔室进行抽真空处理；向反应腔室内通入掺杂气体直至反应腔室内的掺杂气体浓度达到目标气体浓度；按照第一功率密度控制气体放电启辉，在确定等离子体完成启辉时立刻将等离子体电源的功率密度切换为第二功率密度控制气体放电，直至完成二维半导体硫化物样本的掺杂；且第二功率密度低于第一功率密度。本发明首先通过控制掺杂气体浓度确保样本掺杂过程中分布均匀，接着通过高功率密度形成等离子体，然后降低功率密度维持放电，实现二维半导体硫化物样本的无损掺杂。

本发明授权一种二维半导体硫化物低损伤等离子掺杂方法在权利要求书中公布了：1.一种基于功率密度降低的二维半导体硫化物低损伤等离子掺杂方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、将二维半导体硫化物样本置于反应腔室内，并对所述反应腔室进行抽真空，使二维半导体硫化物样本处于真空腔室内； S2、向所述真空腔室内通入掺杂气体和工作气体直至所述真空腔室内的掺杂气体浓度达到预设气体浓度； S3、按照第一功率密度数值控制气体放电启辉等离子体，并控制第一功率密度状态持续第一时间长度；在所述第一时间长度结束时刻确定等离子体完成启辉后，在确定所述等离子体完成启辉时，将等离子体电源的功率密度切换为第二功率密度数值控制气体放电，并持续第二时间长度，直至完成二维半导体硫化物样本的掺杂，所述第二功率密度低于所述第一功率密度； 其中，所述第二功率密度数值的获取方法包括： 调取二维半导体硫化物的禁带宽度和掺杂气体在半导体硫化物中的理论饱和溶解度； 调取二维半导体硫化物的目标载流子浓度； 利用所述二维半导体硫化物的禁带宽度和掺杂气体在半导体硫化物中的理论饱和溶解度结合二维半导体硫化物的目标载流子浓度设置第二功率密度数值，具体包括：调取当前掺杂气体的气体浓度数值；利用所述当前掺杂气体的气体浓度数值和掺杂气体在半导体硫化物中的理论饱和溶解度进行比值处理，获取第一低功率设置因子K01=CgCs；其中，K01表示第一低功率设置因子；Cg表示当前掺杂气体的气体浓度数值；Cs表示掺杂气体在半导体硫化物中的理论饱和溶解度；利用理论扩散浓度系数结合第二时间长度、目标载流子浓度和二维半导体硫化物的禁带宽度获取第二低功率设置因子；利用所述第一低功率设置因子和第二低功率设置因子获取所述第二功率密度数值。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华中科技大学，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市珞喻路1037号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。