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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利一种双层石墨烯带间等离激元的激发方法及制备的器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121325304B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511882806.2，技术领域涉及：G02B5/00；该发明授权一种双层石墨烯带间等离激元的激发方法及制备的器件是由曾长淦;谢忠纽;王冬利;范晓东;李林设计研发完成，并于2025-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双层石墨烯带间等离激元的激发方法及制备的器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种双层石墨烯带间等离激元的激发方法及制备的器件，属于光学器件技术领域，包括：将第三绝缘层、双层石墨烯、第二绝缘层依次层叠形成垂直异质结，再将垂直异质结转移至生长有第一绝缘层的衬底上，经加热分离、溶剂清洗得到洁净的初始器件基底，随后在初始器件基底的垂直异质结表面制备纳米级金属光栅层，形成器件中间体，并在其左右两侧制备电极，使电极与双层石墨烯形成电连接，构建双层石墨烯费米面的电学调控通路，得到用于激发带间等离激元的完整器件。本发明通过纳米级金属光栅阵列可有效激发双层石墨烯带间等离激元、显著提升光‑等离激元耦合效率并实现带间等离激元能量调控。

本发明授权一种双层石墨烯带间等离激元的激发方法及制备的器件在权利要求书中公布了：1.一种双层石墨烯带间等离激元的激发方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、准备基础材料：分别制备双层石墨烯、第二绝缘层、第三绝缘层及生长有第一绝缘层的衬底； S2、构建初始器件基底：根据pick-up转移法，将第三绝缘层、双层石墨烯、第二绝缘层依次层叠形成垂直异质结，再将所述垂直异质结转移至所述生长有第一绝缘层的衬底上，经加热分离、溶剂清洗得到洁净的初始器件基底，所述初始器件基底由下至上依次为衬底、第一绝缘层、垂直异质结； S3、制备器件中间体：在所述初始器件基底的垂直异质结表面制备纳米级金属光栅层，形成器件中间体，所述器件中间体由下至上依次为衬底、第一绝缘层、垂直异质结、纳米级金属光栅层，通过纳米级金属光栅层的周期性结构实现自由空间光与双层石墨烯带间等离激元的动量匹配； S4、构建完整器件：在所述器件中间体左右两侧分别制备电极，使电极与双层石墨烯形成电连接，构建双层石墨烯费米面的电学调控通路，得到用于激发带间等离激元的完整器件； S5、等离激元激发与调控：通过所述电极向双层石墨烯通入电流，并测量电压，通过在衬底施加栅压调节双层石墨烯的费米面，照射中红外光，实现完整器件中双层石墨烯带间等离激元的激发及能量调控； 实现上述激发方法的器件，从下到上依次包括： 衬底； 第一绝缘层，设置于所述衬底上表面； 垂直异质结，设置于所述第一绝缘层上表面，所述垂直异质结由下至上依次为第二绝缘层、双层石墨烯、第三绝缘层； 纳米级金属光栅层，设置于所述第三绝缘层上表面，且覆盖双层石墨烯； 电极，设置于器件左右两侧并与所述双层石墨烯电连接，用于向双层石墨烯通入电流和测量电压； 所述纳米级金属光栅层为金质二维阵列结构，用于提供激发双层石墨烯带间等离激元所需要的波矢，实现自由空间光与双层石墨烯带间等离激元的动量匹配；所述电极包括第一电极和第二电极，两个电极由下至上依次由1nm铬层、7nm钯层、45nm金层构成。

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