合肥晶合集成电路股份有限公司倪珅瑶获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121335179B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511852997.8，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权半导体器件及其制造方法是由倪珅瑶;刘苏涛;程挚;陈伟华设计研发完成，并于2025-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有介质层、保护层和图形化的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜刻蚀所述保护层和所述介质层，以暴露所述衬底内的核心区；对所暴露的所述衬底进行活化处理，于所述核心区内的所述衬底的表面形成活化层；对所述活化层进行处理，形成基于所述活化层的预栅结构；去除所述光刻胶层，并去除所述保护层以及所述预栅结构中远离所述衬底一侧的部分，使剩余的所述预栅结构覆盖所述核心区的衬底。本申请减少了半导体器件的漏电流，提高了阈值电压的稳定性，减小甚至避免了后续形成的栅极发生击穿的概率，从而提高了半导体器件的稳定性和可靠性。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成有介质层、保护层和图形化的光刻胶层； 以所述光刻胶层为掩膜刻蚀所述保护层和所述介质层，以暴露所述衬底内的核心区； 对所暴露的所述衬底进行活化处理，于所述核心区内的所述衬底的表面形成活化层； 对所述活化层进行处理，形成基于所述活化层的预栅结构； 去除所述光刻胶层，并去除所述保护层以及所述预栅结构中远离所述衬底一侧的部分，使剩余的所述预栅结构覆盖所述核心区的衬底； 其中，对所述活化层进行处理，形成基于所述活化层的预栅结构的过程包括： 对所述活化层进行快速热处理，形成基于所述活化层的预栅介质层； 对所述预栅介质层进行阶梯氮化处理，以形成所述预栅结构，所述预栅结构包括沿远离所述衬底方向依次堆叠的多个栅介质层，且多个所述栅介质层的氮元素含量沿远离所述衬底的方向逐渐增大。
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