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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利背照式图像传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121335238B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511914781.X，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权背照式图像传感器及其制备方法是由陈维邦设计研发完成，并于2025-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本背照式图像传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种背照式图像传感器及其制备方法，涉及集成电路技术领域，其中，多个光电二极管结构，沿平行于背面的第一方向间隔分布，且沿靠近衬底的第二方向贯穿P型外延层；底光敏部包括沿第一方向延伸的第一水平部，以及延伸至衬底背面的第一纵向凸出部；中光敏部包括沿第一方向延伸的第二水平部，以及延伸至第一水平部顶面的第二纵向凸出部；第二纵向凸出部位于第一水平部沿第一方向远离第一纵向凸出部的一侧；顶光敏部包括沿第一方向延伸的第三水平部，以及延伸至第二水平部顶面的第三纵向凸出部。至少能够增加感光区域的电子浓度，提高BSI图像传感器的感光性能及集成密度。

本发明授权背照式图像传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括： P型衬底，其背面包括P型外延层； 多个光电二极管结构，沿平行于所述背面的第一方向间隔分布，且沿靠近所述衬底的第二方向贯穿所述P型外延层； 所述光电二极管结构包括沿所述第二方向依次排布且均为N型的顶光敏部、中光敏部及底光敏部； 所述底光敏部包括沿所述第一方向延伸的第一水平部，以及延伸至所述衬底背面的第一纵向凸出部； 所述中光敏部包括沿所述第一方向延伸的第二水平部，以及延伸至所述第一水平部顶面的第二纵向凸出部；所述第二纵向凸出部位于所述第一水平部沿所述第一方向远离所述第一纵向凸出部的一侧； 所述顶光敏部包括沿所述第一方向延伸的第三水平部，以及延伸至所述第二水平部顶面的第三纵向凸出部；所述第三纵向凸出部位于所述第一纵向凸出部的正上方；所述P型衬底、所述第一水平部之间包括第一弯折隔离部，所述第一纵向凸出部贯穿所述第一弯折隔离部；所述第一水平部、所述第二水平部之间包括第二弯折隔离部，所述第二纵向凸出部贯穿所述第二弯折隔离部；所述第二水平部、所述第三水平部之间包括第三弯折隔离部，所述第三纵向凸出部贯穿所述第三弯折隔离部。

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