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龙图腾网获悉成都市汉桐集成技术股份有限公司申请的专利多通道陶瓷封装光电耦合器的新型隔离方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121335297B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511891870.7，技术领域涉及：H10F77/50；该发明授权多通道陶瓷封装光电耦合器的新型隔离方法是由罗辑设计研发完成，并于2025-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本多通道陶瓷封装光电耦合器的新型隔离方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光电耦合器技术领域，特别是涉及一种多通道陶瓷封装光电耦合器的新型隔离方法，包括步骤S1、管壳底座及盖板制作；步骤S2、发光芯片与受光芯片安装；步骤S3、注胶；步骤S4、盖板密封；步骤S5、封装面板安装。本发明将所述隔离墙结构从所述管壳底座转移至所述盖板上，一方面避免了所述管壳底座烧结过程中所述隔离墙因应力集中而产生变形、开裂甚至坍塌的问题，大大降低了所述管壳底座的制造成本，提高了所述管壳底座制造的良品率。另一方面，在芯片组装工艺中，由于所述管壳底座内没有所述隔离墙的阻碍，操作空间得到显著提升，芯片的安装、焊接等操作变得更加便捷，有效减少了组装的难度和时间成本，提高了生产效率。

本发明授权多通道陶瓷封装光电耦合器的新型隔离方法在权利要求书中公布了：1.一种多通道陶瓷封装光电耦合器的新型隔离方法，其特征在于，包括下述步骤； 步骤S1、管壳底座及盖板制作：采用陶瓷成型工艺制作管壳底座和盖板；所述管壳底座为矩形结构，所述管壳底座的内部设置有容纳腔，所述容纳腔内还设有用于安装芯片的基岛，所述管壳底座的顶部为敞开口结构； 所述盖板的平面尺寸与所述管壳底座的顶部敞开口平面尺寸相适配，所述盖板与所述管壳底座贴合的一面设置有至少一道向下凸起的隔离墙，所述隔离墙用于分隔所述管壳底座内部的容纳腔，所述盖板封闭所述管壳底座顶部的敞开口时，所述隔离墙与所述管壳底座容纳腔的底面贴合； 步骤S2、发光芯片与受光芯片安装：将发光芯片和受光芯片分别安装在所述管壳底座内的基岛上；且发光芯片与受光芯片固定后相互之间保持一定的间距； 步骤S3、注胶：在管壳底座内注入绝缘胶，使绝缘胶充满所述管壳底座内部的容纳腔； 步骤S4、盖板密封：将所述盖板与所述管壳底座连接，使所述管壳底座顶部的敞开口封闭； 步骤S5、封装面板安装：在所述管壳底座顶部安装封装面板，使其内部形成气密性的保护环境。

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